[讲义] 中国计算机学会推荐国际学术会议和期刊目录.pdf

说明：中国计算机学会推荐国际学术会议和期刊目录.pdf
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[其它] 激子定位引入的ZnS ZnO核壳纳米线/ p-GaN的紫外电致发光

说明：激子定位引入的ZnS ZnO核壳纳米线/ p-GaN的紫外电致发光
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[其它] Proyecto_I-源码

说明：Proyecto_I
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[其它] hello-world-katou:机能検证用リポジトリ-源码

说明：你好世界卡图 机能検证用リポジトリテストブランチにて修正行
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[其它] Ge离子注入Ge纳米晶体/ SiO2纳米复合薄膜的介电工程：建模与测量

说明：利用离子注入技术合成了Ge纳米晶（nc-Ge）嵌入的SiO2纳米复合薄膜。 可以通过改变锗离子注入过程中的注入能量和剂量来调整nc-Ge在SiO2基体中的分布曲线。 因此，可以设计nc-Ge / SiO2纳米复合薄膜的有效介电常数。 纳米复合薄膜的有效金属氧化物半导体导通（MOS）电容已使用子层模型和Maxwell-Garnett有效介质近似值进行了计算，并考虑了与nc-Ge纳米尺寸相对应的降低的介电常数。 另一方面，已经对基于nc-Ge / SiO 2薄膜的MOS结构进行了电容电压测量，以通过
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[其它] Ni，HfO2薄膜和Ni / HfO2界面的功函数随外部电场的变化

说明：本文研究了外部电场对Ni（001），Ni（111），HfO2（001）和HfO2（111）薄膜功函数的影响以及Ni（001）/ HfO2（基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理研究了001）和Ni（111）/ HfO2（111）界面。 发现所有系统的功函数随外部电场强度线性变化。 比较Ni，HfO2薄膜和Ni / HfO2界面的功函数变化对外部电场强度的斜率，我们发现Ni / HfO2界面的有效功函数对外部电场的响应取决于HfO2侧对外部电场的响应。
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[EMC] 传感器第一周作业.docx

说明：11
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[教育] 第11届市调大赛 (1).rar

说明：第11届市调研大赛资料
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[其它] 具有（002）和（211）择优取向的PbPdO2超薄板的电子结构及其外部电场调制

说明：具有（002）和（211）择优取向的PbPdO2超薄板的电子结构及其外部电场调制
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[其它] 首选PbPdO2薄膜的结构和电性能

说明：首选PbPdO2薄膜的结构和电性能
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[其它] mypage-源码

说明：mypage
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[其它] rishalnishmapinto.io-源码

说明：rishalnishmapinto.io
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