[其它] AVRCP_v1.6.2.rar

说明：蓝牙联盟官方协议文档
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[其它] PostgresSQLHA高可用架构实战

说明：有不少同学希望了解PostgreSQL的背景及它与MySQL的对比结果，所以在此啰唆两句，有兴趣的同学可以单独给我发E-Mail，我可以分享详细的介绍及一些对比结果。2015年是PostgreSQL正式在中国起步的一年，我们看到越来越多的企业选择了PostgreSQL。中国移动主动使用PostgreSQL实现分布式数据库架构。金融业方面平安集团明确表示将使用PostgreSQL作为新一代数据库的选型。华为中兴纷纷加入PostgreSQL内核研究队伍。阿里云正式提供PostgreSQL服务。大部分
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[C#] selenium-dotnet-2.39.0 net35

说明：selenium-dotnet-2.39.0 net35
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[桌面系统] Solid Edge 培训资料 01693-装配动画演示.pdf

说明：Solid Edge 培训资料 编号：01693
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[其它] 京东咚咚架构演进

说明：咚咚是什么？咚咚之于京东相当于旺旺之于淘宝，它们都是服务于买家和卖家的沟通。自从京东开始为第三方卖家提供入驻平台服务后，咚咚也就随之诞生了。我们首先看看它诞生之初是什么样的。为了业务的快速上线，1.0版本的技术架构实现是非常直接且简单粗暴的。如何简单粗暴法？请看架构图，如下。1.0的功能十分简单，实现了一个IM的基本功能，接入、互通消息和状态。另外还有客服功能，就是顾客接入咨询时的客服分配，按轮询方式把顾客分配给在线的客服接待。用开源Mina框架实现了TCP的长连接接入，用TomcatComet
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[网络安全] statem_gmtls.c

说明：Update statem_gmtls.c这个patch是修改gmssl的源码，文件位置在ssl/statem/statem_gmtls.c，本来想把修改后的贴出来，但是太多了，上传了资源statem_gmtls.c，怕修改错的可以直接下载替换。
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[Android] 【Flutter】Dart 面向对象 ( get 方法 set 方法 静态方法 ).zip

说明：【Flutter】Dart 面向对象 ( get 方法 | set 方法 | 静态方法 ) https://hanshuliang.blog.csdn.net/article/details/113883540 博客源码快照
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[桌面系统] Solid Edge 培训资料 01695-管线设计（管件）.pdf

说明：Solid Edge 培训资料 编号：01695
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[其它] A Multiquantum-Dot-Doped Fiber Amplifier With Characteristics of Broadband, Flat Gain, and Low Noise

说明：Doped with PbSe nanocrystals of different sizes, a multiquantum-dot-doped fiber amplifier (MQDFA) is proposed. Performance of the MQDFA is simulated by solving light-propagation equations and rate equations for a three-level system, and by applying s
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[其它] Spectral Characteristics of a Quantum-Dot (CdSe/ZnS)-Doped Fiber in Low Concentrations

说明：A kind of optical fiber doped with CdSe/ZnS quantum dot in low concentrations was fabricated for preparing a fiber amplifier. The photoluminescence and absorption spectra transmitted through the doped fiber were measured in different doping concentra
<weixin_38535132> 上传 | 大小：1mb

[C#] selenium-dotnet-2.39.0 net40

说明：selenium-dotnet-2.39.0 net40
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[其它] Comparative Study on MOCVD Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates Using GaN, AlGaN, and AlN Buffer L

说明：Comparative Study on MOCVD Growth of a-Plane GaN Films on r-Plane Sapphire Substrates Using GaN, AlGaN, and AlN Buffer Layers
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