文件名称:
利用开发板实现对eGaN FET电源设计的评估
开发工具:
文件大小: 336kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-01-12
详细说明：长期以来，宽带隙氮化镓硅（GaN-on-Si）晶体管现已上市。他们被吹捧为取代硅基MOSFET，这对于许多高性能电源设计而言效率低下。近，市场上出现了几家基于GaN-on-Si的HEMT和FET的供应商，其中包括高效电源转换（EPC）。在过去的四年中，该公司一直在扩展其商用增强型（常关）GaN FET或eGaN FET系列。今天，低压eGaN FET系列中大约有11个成员，超高频线中大约有8个成员。
这些高性能，宽带隙晶体管被推荐用于各种高频高效率，高密度DC/DC转换器和其他针对新兴应用的电源，如无线功率传输，包络跟踪，RF传输，太阳能微型逆变器，LiDAR，遥感和D类音频放大器
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