垂直排列的MoS2纳米片的生产由于其在各种研究领域中的潜在应用而引起了极大的兴趣。 然而，迄今为止所使用的这种垂直纳米片的生产方法，特别是通过化学气相沉积（CVD）途径，已经涉及到复杂或多重生长的处理步骤。 为了应对这一严峻挑战，在这项工作中，我们报告了通过CVD在单个生长步骤中生长的高质量垂直排列的MoS2纳米片，同时降低了生长Craft.io步骤的复杂性。 首次，我们还研究了生长过程中衬底角度（从0度到90度）对生长的MoS2垂直纳米片的表面形态，结构和拉曼光谱特性的影响。 结果表明，可以在