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  1. 最畅销的上海博通蓝牙 bLE芯片 BK3432介绍-DS-MS1793S_v1.2.pdf

  2. 最畅销的上海博通蓝牙 bLE芯片 BK3432介绍-DS-MS1793S_v1.2.pdfMacro Giga Electronics Ltd. Co 6.4RF接收机特性 6.5绝对最大额定值. 88 6.6绝对最大额定值工作条件 19 6.6.1通用工作条件 19 6.6.2上电和掉电时的工作条件 20 6.6.3内嵌复位和电源控制模块特性. 20 6.6.4供电电流特性. 21 6.6.5外部时钟源特性(NA) ·····:···: 23 6.6.6内部时钟源特性. 23 6.6.7存储器

  3. 所属分类：其它

  1. 一种低功耗高PSRR的基准电压源

  2. 文章提出一种基于耗尽型晶体管与增强型晶体管串联产生基准电源的无运算放大器结构电路。通过将两个基准电源电路级联,可以获得较好的电源抑制比特性,并保持较小的电压功耗。TT模型下的仿真结果表明,基准电源的电源抑制比(PRSS)在1 MHz下,低于-100 dB,-40~+125℃范围内的温度系数为13.7 ppm/℃,静态电流小于1μA。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-28
    • 文件大小：65kb
    • 提供者：weixin_38684976

  1. 一款应用于物联网芯片的皮安级CMOS电压基准源

  2. 设计了一种应用于物联网芯片的极低功耗电压基准源。由于漏致势垒降低(Drain-Induced Barrier Lowering，DIBL)效应，栅致漏极泄漏(Gate-Induced Drain Leakage，GIDL)效应及栅-漏电容馈通效应的影响，传统的基于MOS管漏电流的皮安级电压基准源虽然可以实现较低的温度系数，但是线性调整率及电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio，PSRR)过低，大大限制了其在具有高电源噪声的物联网芯片中的应用。在传统的双MOS管电压基

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-15
    • 文件大小：490kb
    • 提供者：weixin_38544625

  1. 一种低功耗高PSRR的基准电压源

  2. 分析介绍了一种低功耗基准电压源电路的设计方案，该电路的最大功耗小于1μW，温度系数为21 ppm／℃；同时由于电路结果较简单，易于集成，已经用于电池充电保护芯片。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：377kb
    • 提供者：weixin_38626984

  1. 一种低功耗高PSRR的基准电压源设计

  2. 分析介绍了一种低功耗基准电压源电路的设计方案，该电路的最大功耗小于1μW，温度系数为21 ppm／℃；同时由于电路结果较简单，易于集成，已经用于电池充电保护芯片。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-26
    • 文件大小：251kb
    • 提供者：weixin_38685961

  1. 电源技术中的LDO在开关电源中的应用

  2. LDO简介 　　LDO是一种微功耗的低压差线性稳压器，它通常具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比PSRR（PowerSupplyRejectionRatio）。 　　LDO低压差线性稳压器的结构如图（2）主要包括启动电路、恒流源偏置单元、使能电路、调整元件、基准源、误差放大器、反馈电阻网络和保护电路等。基本工作原理是这样的：系统加电，如果使能脚处于高电平时，电路开始启动，恒流源电路给整个电路提供偏置，基准源电压快速建立，输出随着输入不断上升，当输出即将达到规定值时，由反馈网络得到的输

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-10
    • 文件大小：143kb
    • 提供者：weixin_38703866

  1. 电源技术中的一种低功耗高PSRR的基准电压源设计

  2. 一般基于自偏置的基准电路，由于MOS管工作在饱和区，其工作电流一般在微安级，虽然可以适用于大部分消费类电子芯片的应用，但对于一些特殊应用，如充电电池保护芯片，则无法达到其设计要求。于是降低基准电路的电流则成为芯片低功耗设计的关键。为了减小电路的静态电流，这里的基准与偏置电路采用增强管与耗尽管相结合的方式。对于增强型MOS管，阈值电压随温度的升高而下降；对于耗尽型MOS管，阈值电压为负，其阈值电压的温度系数与增强型相反。利用增强型MOS管阈值电压的负温度系数和耗尽管阈值电压的正温度系数产生一个精度

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-09
    • 文件大小：194kb
    • 提供者：weixin_38727199

  1.  一种高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源设计

  2. 介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR），整个电路功耗仅仅只有30 μA。可以很好地应用在低功耗高电源抑制比的LDO芯片设计中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-30
    • 文件大小：789kb
    • 提供者：weixin_38677255