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  1. 开关电源环路中的TL431应用.pdf.pdf

  2. 开关电源环路中的TL431应用.pdfpdf,开关电源环路中的TL431.pdf)4卖) 由 1na-1nb= ln 2).因此 1 312s Vr 1n6= R 从这个公式我们可以析取出电流I Vr In6 R 根据R4的值(为4829),可以计算出I1的值。 26m×1.79 ≈97A 482 得到这个电流后,集电极负载R2和R3的压降可根据欧姆定律快速计算出来。 VR2=VR3=3R2I1=R31=1.9k×97m=5.7k×97m=553m(10) 这个电压离采用SPCE计算的偏置点并不

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  1. 详解基准电压源选择技巧

  2. 基准电压源电路有许多方法可以设计基准电压源IC，而每种方法都有特定的优点和缺点。基于齐纳二极管的基准电压源深埋齐纳型基准电压源是一种相对简单的设计。齐纳（或雪崩）二极管具有可预测的反向电压，该电压具有相当好的温度稳定性和非常好的时间稳定性。如果保持在较小温度范围内，这些二极管通常具有非常低的噪声和非常好的时间稳定性，因此其适用于基准电压变化小的应用。与其他类型的基准电压源电路相比，这种稳定性可归因于少元件数量和小芯片面积，而且齐纳元件的构造很精巧。然而，初始电压和温度漂移的变化相对较大，这很常见

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：182kb
    • 提供者：weixin_38653296

  1. 简析基准电压源选择技巧

  2. 基准电压源电路有许多方法可以设计基准电压源IC，而每种方法都有特定的优点和缺点。基于齐纳二极管的基准电压源深埋齐纳型基准电压源是一种相对简单的设计。齐纳（或雪崩）二极管具有可预测的反向电压，该电压具有相当好的温度稳定性和非常好的时间稳定性。如果保持在较小温度范围内，这些二极管通常具有非常低的噪声和非常好的时间稳定性，因此其适用于基准电压变化小的应用。与其他类型的基准电压源电路相比，这种稳定性可归因于少元件数量和小芯片面积，而且齐纳元件的构造很精巧。然而，初始电压和温度漂移的变化相对较大，这很常见

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：182kb
    • 提供者：weixin_38639471

  1. 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源

  2. 采用Xfab0.35μmBiCMOS工艺设计了一种高电源抑制比（PSRR）、低温漂、输出0.5V的带隙基准源电路。该设计中,电路采用新型电流模带隙基准,解决了传统电流模带隙基准的第三简并态的问题,且实现了较低的基准电压;增加了修调电路,实现了基准电压的微调。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：82kb
    • 提供者：weixin_38500709

  1. 一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 提出一种标准CMOS工艺结构的低压、低功耗电压基准源,工作电压为5~10 V。利用饱和态MOS管的等效电阻特性,对PTAT基准电流进行动态电流反馈补偿,设计了一种输出电压为1.3 V的带隙基准电路。使输出基准电压温度系数在-25~＋120℃范围的温度系数为7.427 ppm/℃,在27℃时电源电压抑制比达82 dB。该基准源的芯片版图面积为0.022 mm2,适用于低压差线性稳压器等领域。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-27
    • 文件大小：87kb
    • 提供者：weixin_38618746

  1. 一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

  2. 这里设计了一种具有低温漂低功耗且不需要trim的基准电压源,利用低压共源共栅电流镜来减小输出电压对电源电压的依赖。测试结果表示：电路在2 V电源电压下就可以正常工作,输出基准电压为1．326 65 V;在-40～+85℃之间的温度系数为2．563 ppm／0C;电路在3．3 V电源电压下,功耗仅为2．81 μW,可以广泛应用在移动电子设备中。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-05
    • 文件大小：86kb
    • 提供者：weixin_38663036

  1. 一种低电压带隙基准电压源的设计

  2. 本文给出了一个低电压供电时的带隙基准电压源电路的设计方法。该电路通过对传统带隙基准电路的改进，使输出基准电压在600 mV仍然能满足零温度系数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-09
    • 文件大小：276kb
    • 提供者：weixin_38623366

  1. 低功耗带隙基准电压源电路设计

  2. 文章提出一种三层self-cascode管子工作在亚阈值区的低功耗带隙基准电压源电路。该电路具有电路结构简单、功耗低、温度系数小、线性度小和面积小等特点。采用CSMC 0.18 μm的标准CMOS工艺，华大九天Aether软件验证平台进行仿真。仿真结果表明，在tt工艺角下电路的启动时间为6.64 μs，稳定输出的基准电压Vref为 567 mV；当温度在-40℃~125℃范围内时，tt工艺角下基准电压Vref的温度系数TC为18.8 ppm/℃；电源电压在1.2 V~1.8 V范围内时，tt工艺

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    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：548kb
    • 提供者：weixin_38677234

  1. 低压CM0S带隙基准电压源设计

  2. 本文首先对传统的带隙电压源原理进行分析，然后提出了一种比较廉价且性能较高的低压带隙基准电压源，采用电流反馈、一级温度补偿技术设计了低压CMOS带隙基准源电路，使其电路能工作在较低的电压下。本文介绍这种带隙电压基准源的设计原理，给出了电路的仿真结果，并对结果进行了分析。并基于CSMC 0．5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真，得到理想的结果。

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    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：342kb
    • 提供者：weixin_38673924

  1. 电源技术中的一种低电压低静态电流LDO的电路设计（二）

  2. 相关资料： 一种低电压低静态电流LDO的电路设计（一）     　　2 电路设计与实现 　　本文所提的低电压、低静态电流的精简结构的LDO如图2所示。LDO的输出级是一个A类共源级电路，包括PMOS功率管M1,三极管Q1、Q2,电阻R1,R2,R3,Resr和输出负载补偿电容C1.功率管M1有非常大的宽长比来驱动比较大的负载电流。因此M1的沟长选取最小的值，达到尽可能小的寄身电容和尺寸面积。为了获取好的暂态输出特性以及环路稳定，输出补偿电容取5 μF.带隙基准电路包括三极管Q1,Q2,

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    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：154kb
    • 提供者：weixin_38520275

  1. 电源技术中的一种低电压低静态电流LDO的电路设计（一）

  2. 摘要：设计一种低电压低静态电流的线性差稳压器。传统结构的LDO具有独立的带隙基准电压源和误差放大器，在提出一种创新结构的LDO,把带隙基准电压源和误差放大器合二为一，因而实现了低静态电流消耗的目的。设计采用CSMC0.5 μm 双阱CMOS工艺进行仿真模拟，这种结构LDO在轻负载情况下静态电流仅为1.7 μA,输出暂态电压最大变化为9 mV. 　　随着过去几十年里掌上智能终端快速发展，低压差的线性稳压器（Low Drop-out Regulator,LDO）因其具有低功耗、高的电源抑制比、体积

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：118kb
    • 提供者：weixin_38741317

  1. 一种高PSR带隙基准源的实现

  2. 本文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题，通过采用LDO与带隙基准的混合设计，并且采用BCD工艺，得到了一种可以输出较高参考电压的高PSR(电源抑制)带隙基准。此带隙基准的1.186 V输出电压在低频时PSR为-145 dB，在0～1GHz频带内，最高PSR为-36 dB。在-50～150℃内，1.186 V基准的温漂为7.5ppm/℃。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：249kb
    • 提供者：weixin_38568031

  1. 高电源抑制比低温漂带隙基准源设计

  2. 设计并实现了一种新的高PSRR、低TC带隙基准源。重点研究了带隙基准源电源抑制能力，尤其是高频PSRR，达到宽频带范围PSRR高性能指标。采用0.35 μm BiCMOS工艺进行仿真，结果表明，PSRR在1 Hz频率下达-108.5 dB，在15 MHz频率下达-58.9 dB；采用二次温漂补偿电路使得带隙基准源常温下输出参考电压1.183 V，在-40 ℃~95 ℃温度范围内，温漂系数低达1.5 ppm/℃。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-17
    • 文件大小：385kb
    • 提供者：weixin_38701407

  1. 模拟技术中的一种新型高精度CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与绝对温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-05
    • 文件大小：246kb
    • 提供者：weixin_38631182

  1. 电源技术中的一个高性能带隙基准电压源的设计

  2. 摘 要：设计一种适用于标准CMOS工艺的带隙基准电压源。该电路采用一种新型二阶曲率补偿电路改善输出电压的温度特性；采用高增益反馈回路提高电路的电源电压抑制能力。结果表明，电路温度系数为3．3 ppm／℃，在电源电压2．7～3．6 V范围内输出仅变化18μV左右。 　　0 引 言 　　基准电压是集成电路设计中的一个重要部分，特别是在高精度电压比较器、数据采集系统以及A／D和 D／A转换器等中，基准电压随温度和电源电压波动而产生的变化将直接影响到整个系统的性能。因此，在高精度的应用场合，拥有一个

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：265kb
    • 提供者：weixin_38547532

  1. 一种带有软启动的精密CMOS带隙基准设计

  2. 引 言 　　带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙基准的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电压或参考电流，这就要求基准对电源电压的变化和温度的变化不敏感。 　　本文结合工程实际的要求设计了一款具有低噪声、高精度且可快速启动的CMOS带隙基准源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M标准CMOS工艺模型库进行仿真，HSPICE的仿真结果

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-26
    • 文件大小：140kb
    • 提供者：weixin_38629801

  1. 模拟技术中的CMOS带隙基准电压源的设计

  2. 0 引言 　　随着系统集成技术(SOC)的飞速发展，基准电压源已成为大规模、超大规模集成电路和几乎所有数字模拟系统中不可缺少的基本电路模块。基准电压源是超大规模集成电路和电子系统的重要组成部分，可广泛应用于高精度比较器、A/D和D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。事实上，高性能基准电压源直接影响着电子系统的性能和精度。由于带隙基准电压源能实现高电源抑制比(PSRR)和低温度系数，为此，本文提出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺的高性能带隙基准电压源的设计方法。 1 带隙

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-05
    • 文件大小：83kb
    • 提供者：weixin_38703468

  1. 电源技术中的一种改进的超低压电压基准源设计

  2. 1 概述 　　在便携式设备广泛使用的今天，低电源电压和低功耗已经成为模拟电路设计的主要主题之一。其中电压基准源是模拟电路设计中的关键模块，应用广泛。它一般要求低电源电压敏感性，低温度漂移特性。传统的基准源电路都是基于带隙基准，利用标准CMOS工艺中的垂直PNP管，但输出电压一般为1.2V左右。随着电路工作电压的继续下降，基准源的输出电压也需要下降。作为可供选择的另一种方案，可以利用阈值电压的不同温度特性产生电压基准。利用有选择的沟道注入，不同浓度的栅注入引入功函数之差。但以上均不适用于标准的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-04
    • 文件大小：134kb
    • 提供者：weixin_38652090

  1.  低功耗低温漂高PSR带隙基准电压源的设计

  2. 在专用医学微弱信号放大电路中，需要非常精准的电压源，为此，提出了一种新型的带隙基准电压源，采用低温补偿和高温补偿相结合的温度补偿方式，输出带隙基准电压为1.109 V，在-40~125 ℃范围内的温度系数为0.445~0.604 ppm/℃。同时采用了预稳压器来提高电路的PSR（电源抑制），使得PSR在10 Hz时为-127.5 dB，在100 kHz时达到-63 dB。文中设计的电路静态电流只有10 μA，消耗的功耗在36 μW左右。该带隙基准电路还有不随工艺变化的特点，工艺差别使输出电压最大

  3. 所属分类：其它

  1. 一种新型高CMOS带隙基准源的设计

  2. 引言 　　模拟电路中广泛地包含电压基准(reference voltage)和电流基准(current reference)。在数／模转换器、模／数转换器等电路中，基准电压的精度直接决定着这些电路的性能。这种基准应该与电源和工艺参数的关系很小，但是与温度的关系是确定的。在大多数应用中，所要求的温度关系通常分为与温度成正比(PTAT)和与温度无关2种。 　　近年来有研究指出，当漏电流保持不变时，工作在弱反型区晶体管的栅源电压随着温度升高而在一定范围内近似线性降低。基于该特性，带隙基准源所采用的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：336kb
    • 提供者：weixin_38596267
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