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BUCK型DC-DC变换器中保护电路的设计.pdf
BUCK型DC-DC变换器中保护电路的设计pdf,西南交通大学硕士学位论文-BUCK型DC-DC变换器中保护电路的设计 本文首先对BUCK型DC—DC变换器的相关原理和应用于单片开关电源的常用保护电路进行了介绍。基于0.6umHV-BCD工艺,设计了一种应用于降压型直流开关电源的保护电路,保护电路包括以下两个电路子模块:欠压保护电路、过压保护电路。由于开关电源的应用输入范围较宽,所以在电路中采用了新型的内部稳压接口电路,对电平进行了适当的转换,从而使其既能够满足内部控制模块的低压应用需要,同时
所属分类:
其它
发布日期:2019-09-14
文件大小:2mb
提供者:
weixin_38744375
一种新型的BCD工艺
讲述一种新型的BCD工艺栅极驱动的集成电路!
所属分类:
其它
发布日期:2014-05-06
文件大小:237kb
提供者:
u012599405
一种新型带隙基准源设计
在对传统一阶补偿带隙基准分析的基础上,提出了一种新型高阶补偿技术,并应用该技术设计了一款在宽温度范围内具有低温度系数的曲率补偿电压基准。基于VIS 0.15 μm BCD工艺对提出的电路结构进行了设计与仿真。仿真结果表明,该基准电路的输出电压平均值为539 mV;在宽温度范围(-60 ℃~120 ℃)内,温度系数为1.40 ppm/℃;环境温度为27 ℃,电源电压在1.3 V~2.1 V范围内时,输出电压的线性调整率为0.001 9%,电源抑制大于84 dB100 Hz。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-15
文件大小:465kb
提供者:
weixin_38557980
基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计
文中针对高压节能应用领域,开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺,实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4.5μm,漂移区长度缩减至70μm,使得芯片面积和制造成本大幅减小。并通过仿真设计,优化了器件结构的表面电场分布,使反向击穿电压达到700V的同时,使器件导通电阻降为33Ω·mm2。流片结果表明,功率管可以达到设计要求。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-21
文件大小:233kb
提供者:
weixin_38713203