今日，三星公司对外宣布，他已经成功制造出世界上首款基于50nm工艺的16GB NAND闪存设备。该多层核心（MLC）的设计采用了一个4KB的页值，而非竞争产品中所采用的2KB。正因为此，新型设备的读速度比以2KB设计方式的设备要快一倍，写速度快50%。                                              三星50nm 16Gb NAND闪存芯片     当设计到计算机存储技术时，硬盘技术在性能上已经成为最慢的选择。三星等公司正在深入研究“闪速固态盘”（S