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搜索资源列表

  1. 电子元件手册（模拟，数字，二三极管等）

  2. 各种数字，模拟器件，半导体二极管三极管的型号、尺寸、参数、典型应用电路等基本信息，元器件命名基本知识等等。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-11
    • 文件大小：3mb
    • 提供者：sakura0

  1. 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数

  2. 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数，好不容易才找到的，呵呵，特别是三极管命名

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-11-10
    • 文件大小：599kb
    • 提供者：feiflyzhou

  1. 二极管三极管命名原则

  2. 中国二极管和三极管的命名原则~中国半导体器件型号命名方法

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-12-22
    • 文件大小：25kb
    • 提供者：hxl0074

  1. 场效应管与普通晶体管的区别 二极管命名方法 各种二极管特性对比 三极管命名及使用

  2. 场效应管与普通晶体管的区别 二极管命名方法 各种二极管特性对比 三极管命名及使用

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-04-06
    • 文件大小：370kb
    • 提供者：genedu

  1. 三极管,场效应管参数大全

  2. 半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2008-09-15
    • 文件大小：206kb
    • 提供者：noraml

  1. 电子元件替换速查系统V5.0

  2. 电子元件替换速查系统是为电子工程设计师、设备维修师、元件经销商、生产企业等提供晶体管参数速查帮助，快速获得晶体管元件数据资料，以辅助进行设计修正、元件替换等工作。是电子工程师、销售商、维修师等不可多得的案头伙伴。 在实际工作中，作为设计师不可能一手掌握所有晶体管数据，软件便可以在这个时候大显身手，以你的理论设计数据为基础，轻松快速地找到参数相同或相近的晶体管，而无需你去记住烦杂无章的具体型号。做为经销商，可以轻松应付客户只有参数数值，没有具体型号的晶体管，同时轻松快速地筛选出参数相同极性相反的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2016-07-15
    • 文件大小：28mb
    • 提供者：mychj

  1. MOS、三极管管用作开关时的区别联系

  2. MOSFET 和 BJT 的工作区域的命名有所不同。BJT 中的截止，放大和饱和区相对于 MOSFET 为截止，饱和，变阻区。MOSFET有个参数Vt——开启电压。当 Vgs Vt 且 Vds > Vgs - Vt 时，为饱和区。当 Vgs > Vt 且 Vds < Vgs - Vt 时，MOSFET处在变阻区

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-03-07
    • 文件大小：1mb
    • 提供者：zliang1218

  1. 三极管基础知识及检测方法简介

  2. 主要内容包括三极管基础知识、命名方法、参数等。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38698403

  1. 三极管基础知识及检测方法

  2. 本文主要讲述晶体管基础、命名方法、常用中小功率三极管参数等几部分内容。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：64kb
    • 提供者：weixin_38565628

  1. 场效应三极管的型号命名方法及参数

  2. 本文讲述场效应三极管的型号命名方法及参数。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-17
    • 文件大小：34kb
    • 提供者：weixin_38666232

  1. 日本半导体分立器件型号命名方法

  2. 日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下： 第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。 第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：35kb
    • 提供者：weixin_38676851

  1. 国内外晶体管命名规则讲解

  2. 国内外晶体管命名规则讲解 国内命名方法：3DG1815-Y 第一部分用阿拉伯字表示器件的电极数目 2：表示二极管；3：表示三极管； 第二部分表示器件的材料和极性 A：PNP锗；B：NPN锗；C：PNP硅；D：NPN硅；E：化合物材料； 第三部分表示器件的类型 G：高频小功率......

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-18
    • 文件大小：25kb
    • 提供者：weixin_38502428

  1. 基础电子中的维库小知识：三极管的命名

  2. 三极管在电路中常用字母“Q”、“Ⅴ”或“VT”加数字表示，符号如图1所示。 图1 几种三极管的电路符号 　　1  国产三极管型号的命名方法 　　国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分组成如图2所示，各部分的含义如表1所示。 图2 国产三极管型号组成 表1 国产三极管的型号命名及含义 　　例如： 　　①三极管3AD50C表示锗材料PNP型低频大功率三极管，如图3（a）所示； 　　②三极管3DG201B表示硅材料NPN型高频小功率三极管，如图3（b）所示。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-21
    • 文件大小：237kb
    • 提供者：weixin_38660295

  1. 基础电子中的关于中外半导体器件型号命名方法

  2. 一、中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、pin型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：a-n型锗材料、b-p型锗材料、c-n型硅材料、d-p型硅材料。表示三极管时：a-pnp型锗材料、b-npn型锗材料、c-pnp型硅材料、d-npn型硅材料。 　　第三部分：用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38593644

  1. 基础电子中的晶体三极管的型号是如何命名的

  2. 日本晶体管型号的命名方法   日本晶体管的命名由五个部分组成: 　　第一部分表示器件的电极数目。 　　第二部分表示JEIA的注册标志。 　　第三部分表示管子的类型和材料极性。 　　第四部分表示JElA的登记号。 　　第五部分表示同一型号改进产品标志。 　　其JEIA表示日本电子工业协会。 　　日本晶体管型号命名法如表1所示。 　　表1所示日本晶体管型号命名法 　　例如: 　　美国产晶体管型号命名方法方法如表2所示。 　　表2所示美国产晶体管型号命名方法  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：77kb
    • 提供者：weixin_38558870

  1. 元器件应用中的前苏联电子管型号命名法

  2. 前苏联电子管型号由四部分组成。   　　 第一部分为数字，表示灯丝电压的伏数(若有小数部分，只取整数)。    　　第二部分为字母，表示管子的类型。    Д一二极管;X一双二极管;C一三极管;Э一四极管;П一功率五极管和束射功率管;Ж一锐截止五极管和柬射功率管;K一遥截止五极管和束射功率管;A一双控制栅变频管;Г一二极三极管和双二极三极管;Б一二极五极管和双二极五极管;H一双三极管;Ф一三极五极管;E一调谐指示管;Д一二极整流管;И一三极六极管、三极七极管或三极八极管。    　　第三部分为数

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：27kb
    • 提供者：weixin_38705874

  1. 元器件应用中的国外电子管型号的命名

  2. 国外电子管型号的命名各不相同，这里仅举在国内容易见到的生产量较大的一些国家的电子管为例，说明其命名方法。    1)欧式电子管型号命名方法    欧式电子管型号命名是以字母开头的，有两个或三个字母再加上数字组成(如EL84)。    第一个字母，表示灯丝电压:A一4V交流;D一l.2-1.4V;E一6.3V交流;K一2V直流。    第二个字母与第三个字母，表示管内电极数及用途。如:A一二极管;B一双二极管;C一三极管;D一输出三极管;E一四极管;F一五极管;H一六、七极管;K一八极管;L一输出

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：30kb
    • 提供者：weixin_38720997

  1. 基础电子中的半导体型号命名方法

  2. 一、中国半导体器件型号命名方法　　　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：　　　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管　　　　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。　　　　第三部分：

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38625192

  1. 元器件应用中的半导体器件型号命名方法

  2. 一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-06
    • 文件大小：67kb
    • 提供者：weixin_38628830

  1. 维库小知识：三极管的命名

  2. 三极管在电路中常用字母“Q”、“Ⅴ”或“VT”加数字表示，符号如图1所示。 图1 几种三极管的电路符号 　　1  国产三极管型号的命名方法 　　国产三极管的型号命名由五部分组成，各部分组成如图2所示，各部分的含义如表1所示。 图2 国产三极管型号组成 表1 国产三极管的型号命名及含义 　　例如： 　　①三极管3AD50C表示锗材料PNP型低频大功率三极管，如图3（a）所示； 　　②三极管3DG201B表示硅材料NPN型高频小功率三极管，如图3（b）所示。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：378kb
    • 提供者：weixin_38645266
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