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  1. 基于单片机的8路抢答器设计

  2. PCB 原理图引言 单片机把我们带入了智能化的电子领域，许多繁琐的系统都由单片机进行设计，便能收到电路更简单、功能更齐全的良好效果。若把经典的电子系统当作一个僵死的电子系统则是一个具有“生命”的电子系统。 随着技术的技术的进步，单片机与串口通信的结合更多地应用到各个电子系统中已成为一种趋势。本设计就是基于单片机设计抢答器系统，通过串口通信动态传输数据，使抢答系统有了更多更完善的功能。单片机系统的硬件结构给与了抢答系统“身躯”，而单片机的应用程序赋予了其新的“生命”，使其在传统的抢答器面前具有电

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2010-10-13
    • 文件大小：644kb
    • 提供者：liyong1993

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：649kb
    • 提供者：fromnewword

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：614kb
    • 提供者：maosheng007

  1. 三极管的工作条件及工作状态的判断

  2. 下面来对晶体管工作的条件及工作状态的判断作以较深入些的学习与理解，这里仅扼要把上述两个问题剖析一下。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-19
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38673812

  1. 元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。 　　三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和; 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和? 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：265kb
    • 提供者：weixin_38707192

  1. 元器件应用中的三极管的工作条件及工作状态的判断

  2. 一、晶体管工作的条件     1.集电极电阻Rc:     在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号)，需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。     2.集电极电源Ec(或Vcc):     Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-16
    • 文件大小：84kb
    • 提供者：weixin_38678255

  1. 基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：272kb
    • 提供者：weixin_38539018

  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

  2. 三极管饱和问题总结： 　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。 　　2.集电极电阻 越大越容易饱和。 　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。 　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？ 　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：293kb
    • 提供者：weixin_38504417

  1. 三极管的工作条件及工作状态的判断

  2. 一、晶体管工作的条件     1.集电极电阻Rc:     在共发射极电压放大器中，为了取出晶体管输出端的被放大信号电压Use(动态信号)，需要在集电极串接一只电阻Rc。这样一来，当集电极电流Ic通过时，在Re上产生一电压降IcRc，输出电压由晶体管c-e之间取出，即Usc=Uce=Ec-IcRc,所以Use也和IcRc —样随输入电压Ui的发生而相应地变化。     2.集电极电源Ec(或Vcc):     Ec保证晶体管的集电结处于反向偏置，使管子工作在放大状态，使弱信号变为强信号。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：76kb
    • 提供者：weixin_38629873