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液晶lcd1602介绍
DS18B20的主要特性 1.1、适应电压范围更宽,电压范围:3.0~5.5V,在寄生电源方式下可由数据线供电 1.2、独特的单线接口方式,DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯 1.3、DS18B20支持多点组网功能,多个DS18B20可以并联在唯一的三线上,实现组网多点测温 1.4、DS18B20在使用中不需要任何外围元件,全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内 1.5、温范围-55℃~+125℃,在-10~+85℃时精度为
所属分类:
硬件开发
发布日期:2009-12-09
文件大小:2mb
提供者:
sagashaka
单片机中的ds18b20资料
DS18B20的主要特性 1.1、适应电压范围更宽,电压范围:3.0~5.5V,在寄生电源方式下可由数据线供电 1.2、独特的单线接口方式,DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯 1.3、DS18B20支持多点组网功能,多个DS18B20可以并联在唯一的三线上,实现组网多点测温 1.4、DS18B20在使用中不需要任何外围元件,全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内 1.5、温范围-55℃~+125℃,在-10~+85℃时精度为
所属分类:
硬件开发
发布日期:2009-12-09
文件大小:256kb
提供者:
sagashaka
三位数字电容表说明书
课 程 设 计 任 务 书 课程设计题目 三位数电容表 功能 技术指标 设计一个电路简洁、精度高及测量范围宽的电容表,将待测电容的电容值显示到数码管,可显示 三位数字 工作量 适中 工作计划 3月8日 查资料,分析原理 3月9日 画原理图,列元器件表 3月11日 购买元器件 3月12日 安装电路 3月14日 电路调试 3月19日 结题验收 3月20日 撰写说明书 3月25日 交说明书并准备答辩 3月26日 答辩 指导教师评语 指导教师: 2010年3月 23日 目录 第1章 绪论 1 1.1设
所属分类:
C
发布日期:2010-04-13
文件大小:550kb
提供者:
shijincan
三极管结构图
本文简述三极管的结构图。
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-17
文件大小:34kb
提供者:
weixin_38506852
用数字万用表判断三极管的管脚和极性
三极管按照极性分可以分成NPN型和PNP型,三极管有3个管脚,那么如何分辨它的极性和管脚? 方法一:可以去问你的师兄、师姐、同事、朋友,然后你会发现他们有可能也不懂。 方法二:我们可以通过在网上查阅该器件的相关技术手册,还能了解器件的相关参数。 方法三:认真阅读本文,准备数字万用表,三极管,自己动手操作,学习三极管测量方法。 下面我们开启“数字万用表判断三极管的管脚和极性”之旅。 我们先来了解下三极管的内部结构和测量的原理。我们知道,PN结具有单向导电性,也就是当对PN结加正向电压
所属分类:
其它
发布日期:2020-07-14
文件大小:497kb
提供者:
weixin_38687505
元器件应用中的晶体三极管原理及特性
三极管的电流放大原理 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:储管和硅管。 而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 图一:晶体三极管(NPN)的结构 图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-19
文件大小:90kb
提供者:
weixin_38583278
元器件应用中的晶体三极管
一、三极管的电流放大原理 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 图1、晶体三极管(NPN)的结构 图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-18
文件大小:105kb
提供者:
weixin_38740596
元器件应用中的磁敏三极管
磁敏三极管由锗材料或硅材料制成。图是磁敏三极管的结构图。它是在高阻半导体材料i上制成N+-i-N+结构,在发射区的一侧用喷砂等方法破坏一层晶格,形成载流子高复合区r。元件采用平板结构,发射区和集电区设置在它的上、下表面。 图:磁敏三极管结构
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-22
文件大小:51kb
提供者:
weixin_38641876