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  1. 模电基本题型复习

  2. 第七章 信号的运算和处理 一、分别求解图示各电路的运算关系。 二、试分别求解图示各电路的运算关系。 三、写出图示电路的运算关系。 四、在图示电路中,A1、A2为理想运算放大器,求Uo的表达式。 第八章 波形的发生和信号的转换 一、改错:改正图示各电路中的错误,使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电路的基本接法(共射、共基、共集)。 二、试将图T8.3所示电路合理连线,组成RC桥式正弦波振荡电路。 三、 判断图P8.5所示各电路是否可能产生正弦波振荡,简述理由。设图(b)中C4容量远大于其
  3. 所属分类:专业指导

    • 发布日期:2014-12-26
    • 文件大小:3mb
    • 提供者:yangjiawei0329
  1. 万用表测量三极管引脚都不再是难题.pdf

  2. 用万用表测量三极管引脚都不再是难题,但实际上,万用表不仅能够对三极管进行测量,同时还能判别三极管的工作状态,本文就对万用表检测三极管工作状态的相关问题进行详细解说。   举例来说,如果一个功放没有输出,而其中一只三极管用万用表测量基极和发射极之间的电压为0V(在电路板上测量),那是否意味着这个三极管损坏了呢?从给出的条件来看,无法依据现有数据判断这个三极管坏掉,这里需要注意两点:功放输出确保的是这个三极管是做放大器还是用作开关管,此外,如果做为放大器,那么就应该首先检查一下该管的偏置电路(若无
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-07-23
    • 文件大小:181kb
    • 提供者:weixin_39840914
  1. 电压正向过零检测电路的设计.doc

  2. 单片机过零检测电路图 如下图所示为按上述思想设计的电压正向过零检测电路。220V的交流电首先经过电阻分压,然后进行光电耦合,假设输入的是A相电压,则在A相电压由负半周向正半周转换时,图中三极管导通并工作在饱和状态,会产生一个下降沿脉冲送入ADμC812的INT0引脚使系统进入中断程序。微机系统进入中断程序后,发出采样命令并从采样保持器读取无功电流值Iqm,这个无功电流即为A相的无功电流,经过1/4个周期电压达到最大值,此时对电压进行采样,得到UM,由UM=1.414U可以得到电压有效值U。  
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-07-23
    • 文件大小:203kb
    • 提供者:weixin_39840515
  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:649kb
    • 提供者:fromnewword
  1. LDO稳压器的基本原理及RCC电路的解析.pdf

  2. LDO稳压器的基本原理及RCC电路的解析pdf,在输出小于 50W 的小型开关电源系统中,目前在设计上有很多种,但 RCC 方式被运用的可以说是最多的。RCC(即 Ringing choke convertor)的简称,其名称已把基本动作都附在上面了。此电路也叫做自激式反激转换器。图4)RCC回路刀又亻吵于∽纩勤作 力飞匡力下水品上 才下办叶,盘Lt T∩FF!函 b不足T OFF恶 图:集电极电流波形 VI=PI-Vce 因逆向電匙OF下 a·卧 Tr一牙基拒線臣即皱 加上使Tr更0N之電思
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2019-09-13
    • 文件大小:976kb
    • 提供者:weixin_38744435
  1. 小功率开关电源的经济效益提升方案RCC电路的彻底解析.pdf

  2. 小功率开关电源的经济效益提升方案RCC电路的彻底解析pdf,在输出小于50W的小型开关电源系统中,目前在设计上有很多种,但RCC方式被运用的可以说是最多的。RCC的简称,其名称已把基本动作都附在上面了。此电路也叫做自激式反激转换器。图4)RCC回路刀又亻吵于∽纩勤作 力飞匡力下水品上 盯才下亦斗叶,盘Lt T∩FF!函 b不足T OFF恶 图:集电极电流波形 VI=PI-Vce 因逆向電匙OF下 a·卧 Tr一牙基拒線臣即皱 加上使Tr更0N之電思 r急落是oN r )Tr0N肺〔T Tr OF
  3. 所属分类:其它

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电,因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题,希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-08-18
    • 文件大小:614kb
    • 提供者:maosheng007
  1. 三极管工作原理

  2. 三极管工作原理,详解三极管饱和进入条件,新手看看吧
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2012-12-03
    • 文件大小:566kb
    • 提供者:wangchengba
  1. 三极管-饱和总结.doc

  2. 三极管做开关时的经验总结,参数,饱和条件。
  3. 所属分类:硬件开发

    • 发布日期:2011-08-16
    • 文件大小:128kb
    • 提供者:zliang1218
  1. 8550驱动蜂鸣器电路图分析

  2. 1、电路图 2、分析 如上图所示,因GPIO口输出电流有限,而蜂鸣器在蜂鸣时需要较大的电流,GPIO输出口无法满足要求。而8550最大可提供1A的输出电流,足以驱动蜂鸣器。所以,我们用GPIO口来控制8550的导通与截止,从而来控制蜂鸣器。 当向P0.7写入逻辑1时,P0.7输出高电平(+3.3V),8550的基极电流为0,此时Q1处于截止状态,电源不能加到蜂鸣器的正极上,蜂鸣器不能蜂鸣; 当向P0.7写入逻辑0时,P0.7输入低电平(0V),8550的发射极和基极之间产生电流,此时
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-16
    • 文件大小:33kb
    • 提供者:weixin_38743737
  1. 为什么MCU晶体两边要各接一个对地电容?

  2. 很多MCU开发者对MCU晶体两边要各接一个对地电容的做法表示不理解,因为这个电容有时可以去掉。笔者参考了很多书籍,却发现书中讲解的很少,提到最多的往往是:对地电容具稳定作用或相当于负载电容等,都没有很深入地去进行理论分析。而另外一方面,很多爱好者都直接忽略了晶体旁边的这两个电容,他们认为按参考设计做就行了。但事实上,这是MCU的振荡电路,又称“三点式电容振荡电路”,如图1所示。 图1:MCU的三点式电容振荡电路 其中,Y1是晶体,相当于三点式里面的电感;C1和C2是电容,而5404和
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-14
    • 文件大小:71kb
    • 提供者:weixin_38683562
  1. 怎么设计使三极管工作在饱和区呢?

  2. 怎么设计三极管电路,使三极管的工作电流最大?三极管有三个工作区间:截止、放大和饱和,三极管达到饱和时工作电流是最大的,那么怎么设计使三极管工作在饱和区呢? 三极管的基本原理 为了让新手更了解三极管的用法,下面先简单介绍一下三极管的基本原理,三极管一共有三个引脚,也就是三极管的三个极:基极、集电极和发射极,三极管由两个PN结组成, 其组合不同而分为NPN和PNP两种类型,其构造及符号如下图所示。 三极管属于电流型控制元器件,也就是小电流控制大电流,其有三个工作区间:截止区、放大区和饱和区
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-07-12
    • 文件大小:179kb
    • 提供者:weixin_38697940
  1. 简述三极管的饱和条件

  2. 本文主要简单介绍了三极管的饱和条件
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-20
    • 文件大小:38kb
    • 提供者:weixin_38683930
  1. 三极管饱和条件是什么

  2. 1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-08-27
    • 文件大小:37kb
    • 提供者:weixin_38732463
  1. 元器件应用中的三极管饱和和深度饱和状态的理解和判断

  2. 本文介绍了三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断。   三极管饱和问题总结:   1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。   2.集电极电阻 越大越容易饱和;   3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制   问题:基极电流达到多少时三极管饱和?   解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-16
    • 文件大小:265kb
    • 提供者:weixin_38707192
  1. 基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断!

  2. 三极管饱和问题总结:   1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。   2.集电极电阻 越大越容易饱和。   3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制。   问题:基极电流达到多少时三极管饱和?   解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-20
    • 文件大小:272kb
    • 提供者:weixin_38539018
  1. 嵌入式系统/ARM技术中的嵌入式电路设计之三极管基础电路总结

  2. 开关器件  在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能,此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件,此时三极管处于饱和状态。现举一例来说明该类电路特点:   为仿真电路图不是很完整,该电路为晶振关闭功能电路,其中VO接MCU晶振输入端如(XIN)。  若Q1和Q3基极同时为低时,Q2导通而使得VO为0造成晶振停振关闭处理器。我们分析R3和R4(实际电路470K)使得Q2和Q3处于饱和态;Q3为Q1集电极负载,调整R5阻值时可控制Q
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-10-19
    • 文件大小:177kb
    • 提供者:weixin_38683721
  1. 天旺ST贴片二极管与ST贴片三极管产品参数分析区别

  2. ST贴片二极管产品参数:  电压 - 齐纳(标称)(Vz) 3.9V  电压 - 在 If 时为正向 (Vf)() 1.3V 100mA  电流 - 在 Vr 时反向漏电 2?A 1V  容差 ±5%  功率 - 500mW  阻抗()(Zzt) 85 欧姆  安装类型 通孔  封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向  供应商设备封装 DO-35  包装 散装  工作温度 -65°C ~ 200°C   ST贴片三极管产品参数:  晶体管类型: NPN  电流 - 集电极 (Ic
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:86kb
    • 提供者:weixin_38519082
  1. 三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断!

  2. 三极管饱和问题总结:   1.在实际工作中,常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶体管进入了初始饱和状态,实际上应该取该值的数倍以上,才能达到真正的饱和;倍数越大,饱和程度就越深。   2.集电极电阻 越大越容易饱和。   3.饱和区的现象就是:二个PN结均正偏,IC不受IB之控制。   问题:基极电流达到多少时三极管饱和?   解答:这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的:假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-20
    • 文件大小:293kb
    • 提供者:weixin_38504417
  1. 嵌入式电路设计之三极管基础电路总结

  2. 开关器件  在嵌入式电路中经常使用IO口来控制某些电路的开关功能,此时三极管可作为开关器件来使用。作为开关器件使用时需使用开关三极管如9014和9015等小功率器件,此时三极管处于饱和状态。现举一例来说明该类电路特点:   为仿真电路图不是很完整,该电路为晶振关闭功能电路,其中VO接MCU晶振输入端如(XIN)。  若Q1和Q3基极同时为低时,Q2导通而使得VO为0造成晶振停振关闭处理器。我们分析R3和R4(实际电路470K)使得Q2和Q3处于饱和态;Q3为Q1集电极负载,调整R5阻值时可控制Q
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2021-01-19
    • 文件大小:166kb
    • 提供者:weixin_38692707
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