分别通过使用脉冲激光沉积技术（PLD）在n型0.5％重量的掺Nb的SrTiO3（NSTO）衬底上分别沉积掺杂不足的La1.9Sr0.1CuO4膜和掺杂过量的La1.8Sr0.2CuO4膜来制造两种类型的pn结。 。 在5 K至300 K的温度范围内测量了La2-xSrxCuO4 / NSTO异质结的电流-电压（IV）特性。所有IV曲线均显示出良好的整流性能，并观察到了扩散势（Vd）的明显降低，但是在低于Tc的温度下，Vd的行为对于掺杂不足和掺杂过量的体系有很大的不同。 分析结果表明，异质结的特性