从1959年美国TI公司发明第一块集成电路（IC）以后，集成电路工艺技术即向着两个方向发展： 　　（1）沿硅片横向和垂直硅片纵向加工精度的提高方向，使得器件特征尺寸从亚微米、深亚微米、超深亚微米（VDSM）到纳米(nm)，并能形成各种结构； 　　（2）沿匀场范围的扩大方向，使得芯片面积由100mm2增加到200mm2甚至300mm2及以上。每个管子在缩小，芯片面积在扩大，两者的乘积使得IC集成度的CAGR（CommutationAverageGrowthRate）每年达到58％。这就是摩尔(