①在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质，是MOS器件的组成部分 ②扩散时的掩蔽层，离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层 ③作为集成电路的隔离介质材料 ④作为电容器的绝缘介质材料 ⑤作为多层金属互连层之间的介质材料 ⑥作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料   

硅氧化成二氧化硅工艺是集成电路工艺的又一个重要的工艺步骤。氧化工艺之所以重要是因为在集成电路的选择掺杂工艺中，二氧化硅层是掺杂的主要屏蔽层，同时由于二氧化硅是绝缘体，所以，它又是引线与衬底，引线与引线之间的绝缘层。 氧化工艺是将硅片置于通有氧气气氛的高温环境内，通过到达硅表面的氧原子与硅的作用形成二氧化硅。改进的氧化炉 在表面已有了二氧化硅后，由于这层已生成的二氧化硅对氧的阻碍，氧化的速度是逐渐降低的。由于硅和二氧化硅的晶格尺寸的差异，每生长1μm的二氧化

lithography是一种平板印刷技术，在平面光波回路的制作中一直发挥着重要的作用。具体过程如下：首先在二氧化硅为主要成分的芯层材料上面，淀积一层光刻胶；使用掩模版对光刻胶曝光固化，并在光刻胶层上形成固化的与掩模板完全对应的几何图形；对光刻胶上图形显影，与掩模对应的光刻胶图形可以使芯层材料抵抗刻蚀过程；使用等离子交互技术，将二氧化硅刻蚀成与光刻胶图形对应的芯层形状；光刻胶层剥离；最后在已经形成的芯层图形上面淀积上包层。使用lithography方法几乎可以在芯层

SiO2膜在微技术中具有两个主要作用：作为介电层或作为掺杂/蚀刻掩模。在这两种情况下，通常都需要图案化。当在高温烘箱中通过硅衬底的氧化获得时，SiO2被称为“热”。否则，它可以通过化学气相沉积（CVD）作为附加层而获得，不需要硅衬底。

光纤的基本结构是光纤裸纤一般分为三层：纤芯、包层和涂覆层。 　　光纤纤芯和包层是由不同折射率的玻璃组成，中心为高折射率玻璃纤芯（掺锗二氧化硅），中间为低折射率硅玻璃包层（纯二氧化硅）。光以一特定的入射角度射入光纤，在光纤和包层间发生全发射（由于包层的折射率稍低于纤芯），从而可以在光纤中传播。 　　涂覆层的主要作用是保护光纤不受外界的损伤，同时又增加光纤的柔韧性。正如前面所述，纤芯和包层都是玻璃材质，不能弯曲易碎，涂覆层的使用则起到保护并延长光纤寿命的作用。非裸纤的