以二硫化钼(MoS2)为代表的二维过渡金属硫属化合物(TMDs)具有随厚度/层数变化的光学和电学性质，并且展示出独特的激子效应和较高的光学量子产率，在光电子器件中具有很好的应用前景。近年来，基于TMDs材料的光学性质和光电子器件的研究进展迅速，如通过电场、化学掺杂、缺陷等方式实现了对其光致发光(PL)的调控，并极大地提高了PL发射量子产率；基于TMDs边带异质结和垂直异质结的LEDs被广泛研究并获得了较高的光发射效率；以TMDs作为增益介质，并将其与微盘、光子晶体空腔等耦合实现了低阈值激光发射。