微机电系统（MEMS） 垂直腔面发射激光器（VCSELs）是一种特殊光源，具有低功耗、高调制速率、宽波长调谐范围、易耦合等优点，被广泛应用于激光通信领域。为提升激光器工作性能，如扩大波长调谐范围、提高偏振对比度等，需要优化内腔亚波长光栅结构参数来改善腔内光场分布以及偏振输出模式。基于等效介质理论（EMT），并结合薄膜理论设计了针对调谐范围中心波长为850 nm、GaAs材料的亚波长光栅的较优周期、占空比、脊高的取值。分析了横电（TE）、横磁（TM）光，占空比与脊高对光栅透射率的影响。另外，通过系

将增透亚波长光栅分别置于微机电系统 (MEMS)波长可调谐垂直腔面发射激光器 (VCSEL)的内腔、上分立布拉格反射器(DBR)的上表面和下表面, 分析了其对器件波长调谐范围、驻波场和谐振腔波长的影响。通过建模计算可知, 当亚波长光栅置于MEMS波长可调谐VCSEL的内腔中时, 波长调谐量最大, 可达54 nm; 光栅置于上DBR的上表面和下表面时, 波长调谐量仅能达到40 nm和33 nm。通过分析驻波场可以发现, 当亚波长光栅置于上DBR的上表面时, 有源区能量占总能量的0.36%, 而置于