从键合工艺与键合机理看出，室温下硅片的贴合对整个键合过程都有重要作用。硅-硅直接键合的预键合工艺是依靠两个硅片的短程作用力（如H键）把两个硅片拉在一起，然后经过高温退伙过程使界面发生物理化学反应，形成键合强度很大的共价键。因此，预键合前，对硅片进行处理，使表面吸附－OH团，对键合十分有益。预键合前，在垂直于硅片表面方向，硅材料的三维晶格结构周期性被破坏，电子势力不存在平移对称性。处在晶体内部的原子受到最邻近的次邻近的原子对称力场的作用处于平衡态，处在表面的原子由于非对称力场中存在指向空间的剩余结
