对GaN基大功率蓝光发光二极管（LED）分别施加了-200，-400，-600，-800，-1100和-1500 V的反向人体模式静电打击，每次静电打击后，测量样品电学参数和光学参数的变化，研究了静电对LED可靠性的影响，并从理论上分析了相关衰减机理。结果表明，在-200，-400，-600和-800 V的打击后，有明显的软击穿，这是因为在有源区和限制层中产生了缺陷；在-1100 V和-1500 V的打击后，漏电很大并且光通量衰减为打击前的50%，这是因为大的静电使得有源区产生熔融细丝，导致小电