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搜索资源 - 从LaAL涂片的HALQCD方法得到的I=2ππ散射相移
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从LaAL涂片的HAL QCD方法得到的I = 2ππ散射相移
根据非局部HAL QCD势计算得出的物理可观测值(例如,散射相移和结合能)不取决于用于定义该势的阱运算符。 在实际应用中,采用了非局部势的导数展开,因此物理可观察物可以在给定的展开顺序下接收到某些方案相关性。 在本文中,我们比较了点汇方案(HAL QCD方法中的标准方案)和拖尾方案(HAL QCD方法中新引入的LapH拖尾)获得的散射相移。 尽管不同方案中的电势具有预期的不同形式,但我们发现,对于较小的拖尾大小,如果考虑到次要领先(NLO)项,则产生的散射相移彼此一致。 我们还发现,点汇方案中的
所属分类:
其它
发布日期:2020-04-07
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38675341