通过化学水浴法生长了铯掺杂ZnO纳米柱阵列(CZO-NRA)，将其作为电子传输层(ETL)，利用乙醇胺与二甲氧基乙醇共混溶液对CZO-NRA进行表面修饰，制备了倒置聚合物太阳能电池。研究结果表明，适量的铯掺杂提高了纳米柱的c轴择优取向结晶度，减少了ETL中由氧空位和锌填隙原子引起的深能级缺陷，减小了器件的串联电阻，增大了器件的短路电流与填充因子。表面修饰减少了CZO-NRA的表面缺陷，减小了ETL与有源层的接触电阻，抑制了界面载流子复合。与未掺杂的器件相比，表面修饰CZO-NRA器件的能量转换效