0 引 言 　　CMOS图像传感器(CIS)使用标准的CMOS工艺制造，与电荷耦合器件(CCD)相比，CMOS图像传感器具有低功耗、高集成度和功能灵活的特点，在便携式及其它特殊环境中有巨大的应用前景。近些年对CMOS图像传感器的研究中，动态范围(DR)一直是一个热点。CMOS图像传感器中的动态范围被定义为最大非饱和信号与无光照条件下的噪声标准差的比值。动态范围是图像传感器中非常重要的指标，对图像的质量有很大的影响，提高动态范围可以提高图像的对比度和分辨率。已经有多种方案被提出来提高动态范围：C