金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应用于较低影像品质的产品中。由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点，所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反，CMOS图像传感器过去存在着像素大，信噪比小，分辨率低这些缺点，一直无法和CCD技术抗

金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件在20年前几乎是同时起步的。CCD是应用在摄影摄像方面的高端技术元件，CMOS则应用于较低影像品质的产品中。 　　由于CCD器件有光照灵敏度高、噪音低、像素小等优点，所以在过去15年里它一直主宰着图像传感器市场。与之相反，CMOS图像传感器过去存在着像素大，信噪比小，分辨率低这些缺点，一直无法和CC

OmniVision Technologies, Inc.近日在3GSM世界大会(3GSM World Congress)上推出1/10英寸VGA CameraChip传感器OV7680。这种新型CMOS图像传感器为市场带来一种具有成本效益的超薄相机模组解决方案，为一种可用于入门级拍照手机、3G手机的次摄像头以及整合式笔记本电脑摄像头的设计。　　OV7680独特的非线性微镜头移动技术能够缩短传感器与镜头之间的距离，从而将相机模组的高度减小到仅3.0毫米，而无损于图像品质或相机性能。最大限度地减小

美国Rochester大学两名研究人员日前发明出一种超低功耗CMOS图像传感器，该技术可应用于便携和远程无线应用。  　　设计改进源于两个独立概念：一个是降低在芯片上进行的模拟/数字转换操作的复杂性；另一个是在数据压缩时可以消除浮点乘法的新型像素阵列的几何形状。  　　采用第一种技术的原型每像素功耗散失0.88纳瓦(nanowatt)，研究人员称其比现在的活性象素(active-pixel)传感器设计低50倍。  　　被称为图像平面压缩的第二个突破，是一种数字图像数据在芯片中而不在后续处理阶段，