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搜索资源 - 低噪声放大器LNA射频方面
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CMOS射频集成电路设计 托马斯李 经典射频中文译书
这本被誉为射频集成电路设计的指南书,全面深入地介绍了设计千兆赫兹(GHz)CMOS射频集成电路的细节。本书首先简要介绍了无线电发展史和无线系统原理;在回顾集成电路元件特性、MOS器件物理和模型、RLC串并联和其他振荡网络以及分布式系统特点的基础上,介绍了史密斯圆图、S参数和带宽估计技术;着重说明了现代高频宽带放大器的设计方法,详细讨论了关键的射频电路模块,包括低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器和频率综合器。对于射频集成电路中存在的各类噪声及噪声特性(包括振荡电路
所属分类:
硬件开发
发布日期:2011-07-11
文件大小:13mb
提供者:
askw2008
低噪声放大器设计含仿真
东南大学射光所 低噪声放大器设计教案PPT 含仿真 对于刚开始接触射频微波的同学,在设计低噪声放大器方面给予了很详细的公式原理推倒以及仿真设计。
所属分类:
专业指导
发布日期:2018-01-13
文件大小:2mb
提供者:
weixin_38966046
低噪声放大器LNA 射频方面
主要是关于高频方面的LNA,也就是微波方面的 有兴趣的可以看看,对低频的可能有所启发
所属分类:
专业指导
发布日期:2010-08-16
文件大小:820kb
提供者:
qianfen688
RFID技术中的RF放大器输出限制介绍
对于任何应用中的放大器,输出电压的摆动范围以及可供给负载的电流量都有一个限制。这些限制基本上由装置电源电压、输出级架构和工艺技术限制设置。大多数线性放大器包括一个阐述支持的最大和最小输出电压和最大电流的规范。 对于诸如低噪声放大器(LNA)、射频功率放大器(PA)和射频增益模块等射频导向型放大器而言,输出摆幅限制通常以1dB增益压缩点表示。随着线性和射频放大器的速度在诸如LMH6401增益放大器的现代高速放大器中彼此接近,了解这两种规范之间的关联,以及他们反映装置性能的方式很重要。
所属分类:
其它
发布日期:2020-10-16
文件大小:108kb
提供者:
weixin_38737144
电源技术中的SiGe半导体推出5美元以下的手机GPS接收器
SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)近日推出一款面向手机应用的高成本效益全球定位系统(Global Positioning System, GPS)接收器——SE8901。该GPS接收系统可让手机制造商全面支持价位低至5美元以下的新定位业务。 SE8901接收器芯片适用于GSM、GPRS、EDGE和UMTS手机在个人安全和导航服务方面的应用。它在4×6mm的封装内集成了GPS无线射频、GPS处理加速器、高性能片上低噪声放大器(LNA)和图像抑制混合器。该器件所附带的软件
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-29
文件大小:49kb
提供者:
weixin_38747978
如何充分使用低噪声放大器解决方案?
随着 5G 无线网络不断发展,无线电前端的性能在射频接收器信号路径中扮演着越来越关键的角色,对于低噪声放大器 (LNA) 尤其如此。随着适用于 LNA 的新型工艺技术(例如硅锗 (SiGe)、砷化镓 (GaAs) 和绝缘硅片 (SOI))的出现,设计人员必须重新评估 LNA 参数(例如噪声、灵敏度、带宽和功率)的性能权衡,以便有效地使用这些工艺技术。 前端的重要性无论怎样强调都不过分,因为它在很大程度上决定了系统在弱信号情况下的终性能以及可实现的误码率。如果 LNA 的性能不合要求,为满足
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-20
文件大小:116kb
提供者:
weixin_38600253
RF放大器输出限制介绍
对于任何应用中的放大器,输出电压的摆动范围以及可供给负载的电流量都有一个限制。这些限制基本上由装置电源电压、输出级架构和工艺技术限制设置。大多数线性放大器包括一个阐述支持的和输出电压和电流的规范。 对于诸如低噪声放大器(LNA)、射频功率放大器(PA)和射频增益模块等射频导向型放大器而言,输出摆幅限制通常以1dB增益压缩点表示。随着线性和射频放大器的速度在诸如LMH6401增益放大器的现代高速放大器中彼此接近,了解这两种规范之间的关联,以及他们反映装置性能的方式很重要。 我们
所属分类:
其它
发布日期:2021-01-19
文件大小:94kb
提供者:
weixin_38743119