Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8,以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基（Schottky）阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。     新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的关断电压阈值。器件的电压

飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)最小的MOSFET器件，而采用5×6mm封装的同类30V MOSFET器件的RDS(ON)则为1.4至1.6mΩ。 　　通过*测，MOSFET器件的总体漏源导通电阻RDS(ON)是由芯片电阻和封装电阻构成的。这项参数非常重要的原因主要

Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出40V额定值的动态OR'ing控制器ZXGD3108N8,以提升电信系统、数据中心及服务器不间断电源的可靠性。新产品旨在全面改善超低导通电阻功率MOSFET，从而替代耗能的肖特基（Schottky）阻断二极管，有效降低工作温度并加强不间断电源系统的完整性。     新控制器通过以这种方式驱动MOSFET，同时提升标准12V和24V共轨系统的整体系统效率。与其它同类型器件相比，ZXGD3108N8提供的关断电压阈值。器件的电压少于

飞兆半导体推出的导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)的MOSFET器件，而采用5×6mm封装的同类30V MOSFET器件的RDS(ON)则为1.4至1.6mΩ。 　　通过*测，MOSFET器件的总体漏源导通电阻RDS(ON)是由芯片电阻和封装电阻构成的。这项参数非常重要的原因主要有两个：