提出了一种低比导通电阻（R-{{rm on}，{rm sp}}）的可集成绝缘体上硅（MOSFET）MOSFET，并通过仿真研究了其机理。 SOI MOSFET具有双沟槽和双栅极（DTDG SOI）：漂移区中的氧化物沟槽，氧化物沟槽中的掩埋栅插图以及延伸到掩埋氧化物层的另一个沟槽栅（TG）。 首先，双栅极形成双传导通道，扩展的栅极扩大了垂直传导面积； 两者都会大大降低R-{{\ rm on}，{\ rm sp}}。 第二，氧化物沟槽在垂直方向上折叠漂移区，导致减小的器件间距和R-{{rm on}，