宽频太赫兹(THz)技术在国防、科研等领域有着广阔的应用前景，光电导天线是产生宽频THz波的重要手段。分析了低温生长和高温退火对光电导天线材料载流子寿命和电阻率的影响。在生长温度为230 ℃和250 ℃,退火温度为475 ℃的低温生长砷化镓(LTG-GaAs)上制备了领结(BowTie)和偶极子(Dipole)两种电极结构的小孔径光电导天线。实验给出， 在250 ℃生长的LTG-GaAs上制备的光电导天线产生的太赫兹波辐射强度和频谱宽度较好，谱宽达到了3.6 THz，BowTie天线的辐射强度优

研究了低温生长砷化镓光电导天线(LT-GaAs PCA)产生太赫兹(THz)波的辐射特性。利用太赫兹时域光谱(TDS)技术测量了光电导发射极在飞秒激光作用下辐射的太赫兹脉冲,得到了时域发射光谱,并通过快速傅里叶变换(FFT)得到相应的频域光谱。结果表明,低温砷化镓光电导天线产生的太赫兹波信号比飞秒激光激发半导体表面产生的太赫兹波信号具有更高的强度和信噪比; 太赫兹波信号与光电导天线的偏置电压成线性关系; 随着抽运激光功率的增强,太赫兹波信号增大并出现饱和。