用新型中央半导体可饱和吸收镜（C-SESAM）实现的二极管泵浦无源调Q激光器可以获得更高的重复率和更短的脉冲持续时间，这在理论和实验上都得到了证明。 因此，必须优化这种激光器以实现许多期望的性能。 当InGaAs薄层的直接带隙吸收，GaAs衬底的单光子吸收（SPA）和双光子吸收（TPA）过程同时被考虑时，通过数值求解归一化速率方程。 引入了一些新的归一化参数，并确定了最优无源调Q激光器的关键参数，包括最优归一化耦合参数和最优归一化可饱和吸收体参数，它们可以最大化输出能量。 生成了一组一般曲线，并