建立了一种侧边抛磨光子晶体光纤(SP-PCF)的光学模型，通过数值仿真和实验研究了这种侧边抛磨光子晶体光纤在不同抛磨厚度和不同环境介质折射率条件下的光学特性。实验结果表明，存在一个抛磨敏感区域，当抛磨深度在敏感区域内变化时，光子晶体光纤(PCF)的基模有效折射率随着环境介质折射率的改变而发生明显变化。这种侧边抛磨光子晶体光纤可以作为一种环境折射率敏感的传感器，有望在微型生物或化学传感方面得到应用。

在建立了侧边抛磨光子晶体光纤D型光纤光学模型的基础上，采用三维有限差分光束传输法计算和分析了侧边抛磨光子晶体光纤的光功率衰减、传输模场等与抛磨区几何参数（剩余半径、轴向旋转角、侧边抛磨区长度）的变化关系。结果表明，当剩余半径大于-1.5 μm时，侧边抛磨光子晶体光纤的光功率衰减随着剩余半径的减小而增大；光沿着光纤传输时，基模光传输到抛磨区光功率发生衰减，经过抛磨区后，基模光功率出现回升。沿不同的轴向旋转角方向侧边抛磨，剩余半径大于0.5 μm时，侧边抛磨光子晶体光纤的光功率衰减随着剩余半径变化的