辅助an灭通过一对暗物质与标准模型状态（称为“暗杀者”）之间的新型an灭产生热子GeV暗物质。 我们表明，根据辅助剂和暗物质之间的质量等级关系，有效横截面可能存在抑制或增强。 这种增加使得具有扰动耦合的O（100）MeV规模暗物质成为可能，该耦合使文物密度估计值饱和，同时相对不受宇宙学约束（如大爆炸核合成和宇宙微波背景）的影响。