在研究倾斜氧化物锥条形集成超辐射光源的基础上,增加了脊形波导结构,制得了新型的1.5μm倾斜结构的InGaAsP/InP集成超辐射光源.发现该倾斜结构脊形波导器件具有较好的抑制激射能力.在可测试范围内,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下,未见激射模式的出现,大大地提高了超辐射功率的输出.最大峰值功率已达到110mW.