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  1. protel2004封装

  2. protel dxp的元件封装 一、 Protel DXP中的基本PCB库： 原理图元件库的扩展名是.SchLib，PCB板封装库的扩展名.PcbLib，它们是在软件安装路径的“\Library\...”目录下面的一些封装库中。 根据元件的不同封装我们将其封装分为二大类：一类是分立元件的封装，一类是集成电路元件的封装 1、分立元件类： 电容：电容分普通电容和贴片电容：普通电容在Miscellaneous Devices.IntLib库中找到，它的种类比较多，总的可以分为二类，一类是电解电容，一

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2012-10-23
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：lidaoshi

  1. 元器件应用中的三极管9013管脚图以及参数

  2. 9013是一种NPN型硅小功率的三极管它是非常常见的晶体三极管，在收音机以及各种放大电路中经常看到它，应用范围很广,它是npn型小功率三极管，下面介绍s9013的引脚图参数等资料，希望大家记住。 　　参数： 　　集电极电流Ic：Max 500mA 　　工作温度：-55℃ to +150℃ 　　集电极-基极电压Vcbo：40V 　　主要用途： 　　放大电路   来源:神秘

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38663516

  1. 元器件应用中的如何选用贴片三极管

  2. 贴片三极管的选用 　　贴片三极管应用中有几个主要问题： 　　其一是过去习惯使用通孔装配式三极管，如何找对应的片状三极管； 　　其二是从参数电路上找到的三极管型号市场上却无法购得、如何代换。这也往往是设计、开发人员及维修人员在应用中较大的难题。 　　造成这两个难题的原因是同一种管芯做成不同封装的器件时，其型号不同。 　　例如： 　　东芝公司生产的一种以TO—92封装的小功率三极管．其型号为2SC1815，然而用同一管芯采用SOT—23封装时．其型号变成2SC2712；而采用

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：46kb
    • 提供者：weixin_38550459

  1. 元器件应用中的三极管的主要参数

  2. (1)共发射极电流放大倍数hFE 　　集电极电流几与基极电流几之比为共发射极电流放大倍数，即hFE=Ic/Ib 　　(2)集电极一发射极反向饱和电流Iceo 　　基极开路时，集电极与发射极之间加上规定的反向电压时的集电极电流，又称为穿透电流。它是衡量三极管热稳定性的一个重要参数，Iceo值越小，则三极管的抗热危害性越好。 　　(3)集电极一基极反向饱和电流Icbo 　　发射极开路时，集电极与基极之间加上规定的电压时的集电极电流。良好的三极管的Icbo应该很小。 　　(4)共发射极交流

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38707342

  1. 元器件应用中的晶体三极管的主要参数

  2. 三极管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数、特征频率。三极管的参数是使用与选用三级管时的重要依据，为此了解三极管的参数可避免选用或使用不当而引起管子的损坏。 　　(1)直流参数。 　　1)集电极—基极反向电流I(CBO)。当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时，集电结中的漏电流就称I(CBO)此值越小表明晶体管的热稳定性越好。一般小功率管约1OμA左右，硅管更小些。 　　2)集电极一一发射极反向电流I(CBO)也称穿透电流。它是指基极开路时，在集电极与发射极之间加上规定的反

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：weixin_38649315

  1. 元器件应用中的闪烁式发光二极管的参数

  2. 闪烁式发光二极管采用φ5环氧全包封形式，具有较强的视感觉。表们1列出了一些闪烁式发光二极管的主要特性参数。 　　表1 一些闪烁式发光二极管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38609128

  1. 元器件应用中的场效应管基本放大电路

  2. 和半导体三极管一样，场效应管的电路也有三种接法，即共源极电路、共漏极电路和共栅极电路。　　1.共源极电路　　共源极电路除有图所示的接法外，还可采用图所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻钝提供的。该电路虽然简单，但RG不易取得过大，否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降，使栅偏压发生变化，造成工作点的偏离。　　共源极基本放大电路的主要参数，可由以下各式确定:　　输入电阻Ri=RG//RGS，因RGS》RG，故                                     

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：26kb
    • 提供者：weixin_38627590

  1. 元器件应用中的半导体三极管的极限参数介绍

  2. 各种电子元器件都有一个使用极限值要求，对于半导体三极管来讲，它的主要极限参数有以下几个。 　　(1)集电极最大允许电流ICM 　　半导体三极管允许通过的最大电流即为ICM。当集电极电流IC增大到一定程度时，β值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。因此，规定尸值下降到额定值的2/3时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。 　　(2)集电极最大允许耗散功率PCM 　　集电极耗散功率实际上是集电极电流IC和集电极电压UCE的乘积。在使用三极管时，实际功耗不允许超过PcM，还应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38558870

  1. 元器件应用中的半导体三极管的频率特性参数

  2. 半导体三极管用于交流放大时，电流放大系数与频率有关。当三极管工作频率较低时，hFE值变化不大，但三极管用于高频电路时，电流放大系数将会随着工作频率的升高而不断减小，这时就需要考虑频率特性参数了。频率特性参数主要有以下几个。 　　(1)共基极截止频率fα 　　共基极截止频率又叫α截止频率。在共基极电路中，电流放大系数α值.在工作频率较低时基本上为一常数。 　　(2)共发射极截止频率fβ 　　fα和fβ有下列关系: 　　(3)特征频率fT 　　表　半导体三极管的频率特性 　　(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：45kb
    • 提供者：weixin_38569722

  1. 元器件应用中的半导体三极管的置换原则

  2. 半导体三极管的置换原则如下： 　　(1)一般硅管和锗管是不能互相置换的，必须要做到锗管换锗管，硅管换硅管。 　　(2)置换三极管的极性应相同，即NPN管换NPN管，PNP管换PNP管。这是因为NPN型三极管的发射极，相对其他两个电极是负电位，而PNP型三极管的发射极则是正电位。 　　(3)用于置换的三极管应与原三极管的特性相近，它们的主要参数和特性应相差不多。一般来说应注意以下主要参数: 　　①一般要求用PCM与原三极管相等或大于原有值进行置换。 　　②一般要求用ICM与原三极管相等或

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38697063

  1. 元器件应用中的3DU系列硅光敏三极管参数表

  2. 3DU系列硅光敏三极管适用于近红外光探测器、光耦合、编码器、特性识别电路、过程控制电路及激光接收电路等。3DU系列硅光敏三极管的主要特性参数见表。　　                                                             表：3DU系列硅光敏三极管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：198kb
    • 提供者：weixin_38701407

  1. 元器件应用中的3AD系列低频大功率三极管主要特性参数介绍

  2. 低频大功率三极管可广泛应用于低频功率放大、电压调整、低速开关以及直流变换等电路。 　　3AD系列低频大功率三极管属锗PNP型三极管，其主要特性参数见下表。 　　表　3AD系列低频大功率三极管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：69kb
    • 提供者：weixin_38633967

  1. 元器件应用中的3DG系列高频中功率三极管主要特性参数介绍

  2. 高频中功率三极管主要用于高频放大及振荡电路，广泛应用在各种电子设备中。 　　3DG系列高频中功率三极管属硅NPN型三极管，其主要特性参数见下表。 　　表　3DG系列高频中功率三极管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：137kb
    • 提供者：weixin_38517728

  1. 元器件应用中的3CG系列高频中功率三极管主要特性参数介绍

  2. 高频中功率三极管主要用于高频放大及振荡电路，广泛应用在各种电子设备中。 　　3CG系列高频中功率三极管属硅PNP型三极管，其主要特性参数见表一和表二。 　　表一　3CG系列高频中功率三极管主要特性参数（一） 　　表二　3CG系列高频中功率三极管主要特性参数（二）   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：221kb
    • 提供者：weixin_38657376

  1. 元器件应用中的3CG系列高频小功率三极管主要特性参数介绍

  2. 高频小功率三极管主要用于高频放大和振荡电路，广泛应用在各种电子设备中。 　　3CG系列高频小功率三极管属硅PNP型三极管，其主要特性参数见下表。 　　表　3CG系列高频小功率三极管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：89kb
    • 提供者：weixin_38551059

  1. 元器件应用中的3AG系列高频小功率三极管主要特性参数介绍

  2. 高频小功率三极管主要用于高频放大和振荡电路，广泛应用在各种电子设备中。 　　3AG系列高频小功率三极管属锗PNP型三极管，其主要特性参数见下表。 　　表　3AG系列高频小功率三极管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38673237

  1. 元器件应用中的片状中功率三极管主要特性参数（SOT-89式封装）

  2. 片状中功率三极管的主要特性参数见表。                                                            表：片状中功率三极管主要特性参数(SOT-89式封装)   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：171kb
    • 提供者：weixin_38628552

  1. 元器件应用中的一般用途片状三极管的主要特性参数

  2. 一般用途片状三极管的主要特性参数见表。                                                            表:一般用途片状三极管主要特性参数(SOT-23式封装)   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：134kb
    • 提供者：weixin_38637580

  1. 元器件应用中的三极管9015参数、管脚图

  2. 简述 　　9015 - PNP外延型晶体管(三极管)　　是一种常用的普通三极管。　　它是一种小电压,小电流,小信号的PNP型硅三极管 特性 　　集电极电流Ic：Max -100mA 　　集电极-基极电压Vcbo：-50V 　　工作温度：-55℃ to +150℃ 　　功率(W):0.45 　　fT(MHZ):190. 　　hFE :60 ～ 600 　　和9014（NPN）相对 主要用途： 　　开关应用 　　射频放大 　　　低噪声放大管　　如下图所示三极管9

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38582719

  1. 元器件应用中的半导体基本器件

  2. 内容提要 【了解】半导体的相关知识 【熟悉】二极管（即PN结）的单向导电性及主要参数 【了解】三极管的电流放大原理 【熟悉】三极管输出特性曲线的三个工作区及条件和特点、主要参数 【了解】MOS管的工作原理、相应的三个工作区以及与三极管的性能区别 一．网上导学 二．典型例题 三．本章小结 四．习题答案 网上导学： *了解半导体基础相关知识：1.半导体(导电性能介于┉) ；2.本征半导体(纯净,晶体)、共价键(共用电子对)；热激发：自由电子-空穴对、载流子、复合、浓度(微量,温度影响) 与掺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：109kb
    • 提供者：weixin_38677806
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