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  1. 元器件应用中的光敏三极管的光电特性曲线

  2. 光电特性　　光敏三极管的光电特性反映了当外加电压恒定时，光电流几与光照度之间的关系。图给出了光敏三极管的光电特性曲线。光敏三极管的光电特性曲线的线性度不如光敏二极管好，且在弱光时光电流增加较慢。 图：光敏三极管的光电特性曲线  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：42kb
    • 提供者：weixin_38499706

  1. 元器件应用中的光敏达林顿三极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 该光电耦合器采用发光二极管与光敏三极管组，达林顿型输出，具有传输比(CTR)高的特点，其外形如图所示，主要特性参数见表。                                                            表：光敏达林顿三极管型光电耦合器主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：53kb
    • 提供者：weixin_38628920

  1. 元器件应用中的光敏达林顿三极管型光电耦合器

  2. 该光电耦合器采用发光二极管与光敏三极管组，达林顿型输出，具有传输比(CTR)高的特点，其外形如图所示，主要特性参数见表。 图：光敏达林顿三极管型光电耦合器的外形及电路  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：35kb
    • 提供者：weixin_38558660

  1. 元器件应用中的光敏三极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 表:光敏三极管型光电耦合器主要特性参数  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：61kb
    • 提供者：weixin_38625048

  1. 元器件应用中的光敏二极管型光电耦合器主要特性参数

  2. 表:光敏二极管型光电藕合器主要特性参数 　　注:表中IR为发光二极管的反向漏电流;VBM为光敏三极管最菏反向工作电压;VBR(VCEO)为光敏三极管集电极与发射极击穿电压。  

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：71kb
    • 提供者：weixin_38499503

  1. 元器件应用中的光电三极管的特性

  2. 光电三极管也是靠光的照射量来控制电流的器件。它可等效看作一个光电二极管与一只晶体三极管的结合，所以它具有放大作用。其最常用的材料是硅，一般仅引出集电极和发射极，其外形与发光二极管一样(也有引出基极的光电三极管，它常作温度补偿用)。它的光谱范围与光电二极管相同。(1)输出特性　　其输出特性与一般晶体三极管特性相同，差别仅在于参变量不同：三极管的参变量为基极电流，而光电三极管的参变量是入射的光照度。(2)简易测试方法　　光电三极管可用万用表测量其电阻或电流。(3)应用电路　　由于光电三极管本身具有放

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：38kb
    • 提供者：weixin_38625442

  1. 元器件应用中的用数字万用表测量光耦传输特性简法

  2. 光电耦合器由发光二极管和受光三极管封装组成。如光电耦合器４Ｎ２５，采用ＤＩＰ－６封装，共六个引脚，①、②脚分别为阳、阴极，③脚为空脚，④、⑤、⑥脚分别为三极管的ｅ、ｃ、ｂ极。      以往用万用表测光耦时，只分别检测判断发光二极管和受光三极管的好坏，对光耦的传输性能未进行判断。这里以光耦４Ｎ２５为例，介绍一种测量光耦传输特性的方法。     １． 判断发光二极管好坏与极性：用万用表Ｒ×１ｋ挡测量二极管的正、负向电阻，正向电阻一般为几千欧到几十千欧，反向电阻一般应为∞。测得电阻小的那次，红笔接的

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38618140