美国生产的半导体器件型号原来都是由厂家自己命名的，所以十分混乱。比较统一的是按美国电子工业协会(EIA)的半导体分立器件型号命名方法规定命名的产品。这些半导体器件的命名方法由五部分组成，第一部分为前缀，第五部分为后缀，中间三部分为型号的基本部分。这五部分的符号及含义见表。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　表:美国半导体器件型号命名方法   

德国、法国、意大利、荷兰等参加欧洲共同市场的国家和一些东欧国家如匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等国生产的半导体器件大都使用国际电子联合会的标准半导体分立器件型号命名方法对半导体器件型号命名。这种命名法由四个基本部分组成，其含义见表。                                                                    表:欧洲半导体器件型号命名方法 　　注:电子伏特是在电子技术中常用的一种能量单位。一个电子伏特等于l.602x(10的负十次方)

日本生产的半导体器件型号，均按日本工业标准JIS一C一7012规定的日本半导体分立器件型号命名方法命名。　　日本晶体管型号命名由五个基本部分组成其符号及其含义见表。                                                                               表:日本半导体器件型号命名方法   

一、 中国半导体器件型号命名方法 　　半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下： 　　第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 　　第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。