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  1. 现代直流伺服控制技术及其系统设计

  2. 现代直流伺服控制技术及其系统设计 目 录 代序言 前 言 第1章 绪论 1直流伺服控制技术的发展 2现代直流PWM伺服驱动技术的发展 2.1国内外发展概况 2.2直流PWM伺服驱动装置的工作 原理和特点 2.3功率控制元件的应用及控制 电路集成化 2.4PWM系统发展中待研究的 问题 3现代伺服控制技术展望 第2章 不可逆直流PWM系统 1无制动状态的不可逆PWM系统 1.1电流连续时PWM系统控制特 性 分析 1.2电流断续时PWM系统控制特性 分析 2带制动回路的不可逆PWM 系统 第3章

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2009-10-14
    • 文件大小：13mb
    • 提供者：fdcp123

  1. 三位数字电容表说明书

  2. 课 程 设 计 任 务 书 课程设计题目 三位数电容表 功能 技术指标 设计一个电路简洁、精度高及测量范围宽的电容表，将待测电容的电容值显示到数码管，可显示 三位数字 工作量 适中 工作计划 3月8日 查资料，分析原理 3月9日 画原理图，列元器件表 3月11日 购买元器件 3月12日 安装电路 3月14日 电路调试 3月19日 结题验收 3月20日 撰写说明书 3月25日 交说明书并准备答辩 3月26日 答辩 指导教师评语 指导教师： 2010年3月 23日 目录 第1章 绪论 1 1.1设

  3. 所属分类：C

    • 发布日期：2010-04-13
    • 文件大小：550kb
    • 提供者：shijincan

  1. 射频电路设计技术 王磊，杨红 等编著

  2. 内容简介本书系统地介绍射频通信电路设计的基本原理和方法，共分11章，前3章介绍射频设计前沿动态、基本原理及射频电路中最基本的元器件；后8章详细介绍了滤波器、匹配网络、放大器、混频器、振荡器和锁相环等通信工程必不可少的组成部分的原理分析及设计过程，对于设计中常常遇到问题的章节还配有例子。每章开始有一小段对本章内容的简单介绍，让读者可以在较短时间融入该章节的学习境界中；每一章节的结束部分为本章小结及参考文献，这样可以让读者在学习之余巩固学习效果、拓宽知识面。 本书内容全面、逻辑与结构合理，讲解由浅

  3. 所属分类：网络基础

    • 发布日期：2010-09-30
    • 文件大小：11mb
    • 提供者：z3912

  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题，还讲解了关于面试的问题该如何解答，对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极

  3. 所属分类：嵌入式

    • 发布日期：2019-10-12
    • 文件大小：649kb
    • 提供者：fromnewword

  1. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf

  2. 半桥LLC谐振电路知识详解-半桥LLC谐振转换器的设计考虑及安森美半导体解决方案.pdf转换器的工作频率取决于功※需求。功率需求较低时,工作频率相当高,超 出谐振点。相反,功率需求较高时,控制环路会降低廾关频牽,使其中一个谐振频 率提供负载所需大小的电流。总的来看,转换器工作在种不同的工作状 态,分别是:在和之间;直接谐振在 高于;在和 之间过载;低于。 与分立储能电路解决方案相比,集成储能电路解决方案的行为特性不同,如漏电感 米自于变压器耦合,且仅在变压器初级和次级之间存在能量转换时参与谐 振

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：514kb
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电，因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题，希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2019-08-18
    • 文件大小：614kb
    • 提供者：maosheng007

  1. 13001和13003管脚图 浅谈三极管的原理及应用

  2. 本文主要是关于13001和13003的相关介绍，并着重对13001和13003的管脚进行了详尽的阐述。 三极管 三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。 工

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：108kb
    • 提供者：weixin_38722721

  1. 元器件应用中的集成555定时器

  2. 常用的555定时器有双极型和CM0S两种类型，其型号分别有NE555（或5G555）和C7555等多种，它们的结 构及工作原理基本相同。还有的是在同一个基片上集成2个555如556，558是在同一个基片上集成4个555。 　　1．555定时器的结构 　　555定时器内部结构如图1（a）所示。它由分压器、两个电压比较器、基本RS触发器、晶体管及缓冲器 组成。555定时器逻辑符号如图1（b）所示。 　　1脚是接地端GND，2脚是低电平触发端（也称触发端），3脚是输出端OUT，4脚是复位端ft，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：104kb
    • 提供者：weixin_38717579

  1. 元器件应用中的常用场效应晶体管放大器的识别

  2. 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 　　2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。 　　3、场效应管与晶体管的比较 　　（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 　　（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-19
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38611796

  1. 元器件应用中的如何区别场效应管与普通晶体管

  2. 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。 　　2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。 　　3、场效应管与晶体管的比较 　　(1) 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。 　　(2) 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-17
    • 文件大小：31kb
    • 提供者：weixin_38723683

  1. 元器件应用中的双极型晶体管原理

  2. 虽然二极管是很有用的器件，但它不能放大信号，几乎所有的电路都以某种方式要求放大信号。一种能放大信号的器件就是双极型晶体管（BJT）。 图1.18是两种双极型晶体管的结构图。每个晶体管有3个半导体区，他们分别是发射极，基极和集电极。基极总是夹在发射极和集电极之间。NPN管由N型的发射极，P型的基极和N型的集电极组成。类似的，PNP管由P型的发射极，N型的基极和P型的集电极组成。在这些简图中，晶体管的每个区都是均匀掺杂的矩形硅。现代的双极型晶体管稍微有点不同，但工作原理还是一样的。 图1.18中也画

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38500444

  1. 元器件应用中的集成电路中的双极晶体管模型

  2. p-n结二极管的分析和模拟是双极结型晶体管（BJT）原理和模拟的基础。BJT是由两个背靠背的p-n结，并由一个半导体簿区串联而成的。虽然分立的二极管没有放大作用，但是当它们由一个纯的单晶，结构完整的半导体簿区耦合起来时，这种器件就变成了有源器件，并具有好的功率增益。在发射结处于正向偏压（低阻抗），而集电极处于反向偏压（高阻抗）下，由发射结注入的少子电流几乎全部输运到集电结，使器件具有放大作用。当器件状态处于有源区时，就有功率增益。 NPN BJT是两个半导体晶体的n型区由中

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38595850

  1. 元器件应用中的功率MOSFET的基本知识

  2. 自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。功率MOSFET主要用于计算机外设(软、硬驱动器、打印机、绘图机)、电源(AC／DC变换器、DC／

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-13
    • 文件大小：89kb
    • 提供者：weixin_38614462