对于直接带隙半导体来说，峰值波长杨同其禁带宽度相对应；而对于掺ZnO或N的GaN等直接带隙材料来说，峰值波长由等电子陷阱发光中心的位置决定。半导体中，参与电子－空穴复合的能带有一定宽度，而不是能级之间的载流子复合发光。因此导带底附近和价带顶附近的能态都会对发光有贡献，这便造成了发光管的发射光谱较宽。通常发光二极管的光谱半宽度Δλ为50～150 nm。 　　同金属、绝缘体不同，半导体对温度非常敏感，无论是发光波长还是发光强度都随着温度的变化而变化。由于禁带宽度随着温度的升高而变小，载流子复合速率

发光强度Iv指发光二极管在正向工作电流驱动下发出的光强。发光强度的单位为坎德拉，符号记为cd。其定义为：波长为550 nm（即频率为540×10 Hz）的单色光源发光时，如果它在某一方向上的辐射强度为1／681 w／sr（瓦／球面度）时，则称此单色光源在该方向上的发光强度为1坎德拉，即1 cd。发光二极管的发光面常常是圆形的，若以其法线方向（即圆形发光管的轴线）为特定方向，则该方向上的发光强度为法向发光强度。普通的发光二极管的发光强度通常较小，所以常用的单位为毫坎德拉（med）。　　  来源:k