引言     目前现售的高压功率MOSFET是一种N-沟道、增强型、双扩散、金属氧化硅场效应晶体管。它们和NPN双极型晶体管具有相同的功能，但前者采用电压控制的器件，而后者则是采用电流控制的双极型器件。我们将当今对MOSFET日益增长的需求归结于其高输入阻搞，以及人微言轻多数载流子器件，可以避免少数载流子储存时间影响、热失控或者二次击穿的危险。 　　附件查看：国半功率MOSFET简介及其应用.pdf  来源:ddcode