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  1. 布线规则.txt

  2. 3 1. 一般规则 1.1 PCB板上预划分数字、模拟、DAA信号布线区域。 1.2 数字、模拟元器件及相应走线尽量分开并放置於各自的布线区域内。 1.3 高速数字信号走线尽量短。 1.4 敏感模拟信号走线尽量短。 1.5 合理分配电源和地。 1.6 DGND、AGND、实地分开。 1.7 电源及临界信号走线使用宽线。 1.8 数字电路放置於并行总线/串行DTE接口附近，DAA电路放置於电话线接口附近。 2. 元器件放置 2.1 在系统电路原理图中： a) 划分数字、模拟、DAA电路及其相关电

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-05-23
    • 文件大小：14kb
    • 提供者：qq_33237941

  1. 电子研发及维修工程师基础培训系列讲座.zip

  2. 第一章 常用电子元器件的选用 1.教学要求 通过实用电路实例，分析常用电子元件在实际电路中的使用效果。通过比较不同类型、型号、参数的元器件在具体电路中对电信号作用，以及元器件本身的特性，了解在具体电路中选择元器件的依据。 2.主要内容 电阻、电容、电感、二极管、三极管、场效应管等元器件，按照标称值、功率、材质等分类标准的分类类型。元件的目测识别与采用工具的检测，在电路中的作用及简单应用。 3.重点 了解常用元器件的发展状况、价格、选用依据。掌握常见元件的识别与读值。色环电阻的读法，电容、电感

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-05-15
    • 文件大小：63mb
    • 提供者：weixin_43478742

  1. 元器件应用中的结型场效应管（JFET）的主要参数

  2. （1）. 夹断电压VP 　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 　　（2）. 饱和漏极电流IDSS 　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的最大电流。 　　（3）. 直流输入电阻RGS 　　它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。 　　（4）. 低频跨导gm 　　当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-07
    • 文件大小：63kb
    • 提供者：weixin_38706747

  1. 元器件应用中的场效应管的主要参数

  2. 1)夹断电压，U(GS)使漏电流接近于零时，此时栅极上所加的偏压就称夹断电压 (此参数是对耗尽型而言)。 　　2 )饱和漏电流I(DSS)，当栅压为零时，漏极电流的饱和值。 　　3)直流输人电阻R(GS)，对于结型场效应管是指栅源PN结在一定反压下的反向电阻，可达10(7)Ω以上。对绝缘栅场效应管是指氧化层绝缘电阻。 　　4)跨导gm，它是漏电流的变化量和引起这个变化量的栅源电压变化量之比，反应场效应管的放大能力。 　　5)击穿电压BU(DS)，表示漏极釉源极之间的击穿电压。即漏源饱和电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-24
    • 文件大小：117kb
    • 提供者：weixin_38592848

  1. 元器件应用中的场效应管的主要特性参数

  2. 一、直流参数　　1.夹断电压UP　　在UDS为某一固定值的条件下，使ID等于一个微小电流值(几微安)时，栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。　　2.开启电压UT　　在UDS为某一固定值的条件下，使S极与D极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。　　3.饱和电流IDSS　　在UDS-O的条件下，漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流，它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。　　4.直流输入电阻RGS     

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：27kb
    • 提供者：weixin_38669093

  1. 元器件应用中的CS系列N沟道结型场效应管

  2. CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。　　CS系列结型场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：126kb
    • 提供者：weixin_38547397

  1. 元器件应用中的3DJ系列N沟道结型场效应管

  2. 3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。　　3DJ列场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：250kb
    • 提供者：weixin_38737176

  1. 元器件应用中的场效应管基本放大电路

  2. 和半导体三极管一样，场效应管的电路也有三种接法，即共源极电路、共漏极电路和共栅极电路。　　1.共源极电路　　共源极电路除有图所示的接法外，还可采用图所示的电路。这种电路的栅偏压是由负电压UG经偏置电阻钝提供的。该电路虽然简单，但RG不易取得过大，否则会在栅漏泄电流流过时产生较大的压降，使栅偏压发生变化，造成工作点的偏离。　　共源极基本放大电路的主要参数，可由以下各式确定:　　输入电阻Ri=RG//RGS，因RGS》RG，故                                     

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-23
    • 文件大小：26kb
    • 提供者：weixin_38627590

  1. 元器件应用中的MT系列V-MOS功率场效应管

  2. MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。　　MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：128kb
    • 提供者：weixin_38509082

  1. 元器件应用中的VN系列N沟道V-MOS功率场效应管

  2. VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。　　VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：182kb
    • 提供者：weixin_38741244

  1. 元器件应用中的IRF系列V-MOS大功率场效应管

  2. IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。　　IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：123kb
    • 提供者：weixin_38638033

  1. 元器件应用中的P沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些P沟道结型场效应管的主要特性参数。　　一些P沟道结型开关场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：62kb
    • 提供者：weixin_38747025

  1. 元器件应用中的N沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些N沟道结型开关场效应管的主要特性参数。　　一些N沟道结型开关场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：79kb
    • 提供者：weixin_38674223

  1. 元器件应用中的双栅场效应管

  2. 双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极，其中两个栅极是互相独立的，使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。表列出了一些双栅场效应管的主要特性参数。　　一些双栅场效应管圭要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：115kb
    • 提供者：weixin_38742532

  1. 元器件应用中的功率MOS场效应管

  2. 表列出了一些小功率MOS场效应管的主要特性参数。　　一些小功率场效应管主要特性参数   

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：114kb
    • 提供者：weixin_38651540

  1. 元器件应用中的小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数（SOT-23式封装）

  2. 与双极型半导体三极管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大以及交叉调制失真小等特点。片状场效应管也同样具有上述特点。片状场效应管又分为片状结场效应管和片状绝缘栅场效应管两类。片状绝缘栅场效应管最大的特点是具有优良的开关特性。其导通电阻仅为几十毫欧姆，因此它的应用较为广泛。    表给出了小信号用片状绝缘栅场效应管的主要特性参数。                                                  表：小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-22
    • 文件大小：93kb
    • 提供者：weixin_38535132