第三代半导体材料——氮化镓(GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于功率因数校正(PFC)、软开关DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光伏逆变器或太阳能逆变器、服务器及通信电源等终端领域。为了满足市场对GaN的需求，安森美半导体与Transphorm联合推出第一代Cascode GaN，共同推动GaN市场的发展。 　　GaN的优势 　　从表1可见，GaN具备出色的击穿能力