在大多数应用中，虽然机电继电器在历史上一直是主要的负载开关，但随着技术进步，MOSFET的导通电阻已近于理想开关(RDS(ON)=0Ω)，所以，最近几年MOSFET在蚕食继电器的领地。但MOSFET的导通电阻仍大于相应的继电器导通电阻。这样，当采用MOSFET进行设计时，就要将热问题考虑在内。 　　当驱动控制的是容性负载时，热因素就变得更加重要。控制容性负载时产生的浪涌电流可变得足够大(约是稳态电流的10倍)从而导致MOSFET的结温(度)升超过其最大允许值。这样，当要在一系列电气和环境条件下