注册会员 | 设为首页 | 加入收藏夹
您好，欢迎光临本网站！[请登录] ！[注册会员]！  

搜索资源列表

  1. 元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L

  2. 意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-28
    • 文件大小：38912
    • 提供者：weixin_38638312

  1. 元器件应用中的意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L9

  2. 意法半导体推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。 　　ST开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻Rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的MOSFET器件创造了一个新的工业基准。这款20V的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-27
    • 文件大小：39936
    • 提供者：weixin_38612437