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  1. 模电 数电 单片机笔试及面试问题.pdf

  2. 该文档包括数电、模电、单片机、计算机原理等笔试问题,还讲解了关于面试的问题该如何解答,对大家有一定的帮助电流放大就是只考虑输岀电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 一些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大 功率放大就是考虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已。 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极
  3. 所属分类:嵌入式

    • 发布日期:2019-10-12
    • 文件大小:649kb
    • 提供者:fromnewword
  1. 模拟电路和数字电路笔试知识和面试知识.pdf

  2. 每次面试都被问到模电和数电,因此想给大家分享一份关于模拟电子技术的面试题,希望有所帮助电流放大就是只考虑输出电流于输入电流的关系。比如说,对于一个uA级的信号,就需要放大后才能驱动 些仪器进行识别(如生物电子),就需要做电流放大。 功率放大就是老虑输出功率和输入功率的关系。 其实实际上,对于任何以上放大,最后电路中都还是有电压,电流,功率放大的指标在,叫什么放大,只 是重点突出电路的作用而已 15.推挽结构的实质是什么? 般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截
  3. 所属分类:讲义

    • 发布日期:2019-08-18
    • 文件大小:614kb
    • 提供者:maosheng007
  1. 元器件应用中的常规场效应管的识别与检测

  2. 场效应管与晶体管相似,但两者的控制特性却截然不同,普通晶体管是电流控制元件,通过控制基极电流达到控制集电极电流或发射极电流的目的,即需要信号源提供一定的电流才能工作,因此,它的输入电阻较低。场效应管则是电压控制元件,它的输出电流决定于输入电压的大小,基本上不需要信号源提供电流,所以,它的输入阻抗很高。此外,场效应管还具有开关速度快、高频特性好、热稳定性好、工作电流大(最大可达100A)、输出功率大(可达250W)等优点。因此,场效应管在液晶显示器中得到了广泛的应用。   场效应管按其结构的不同
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-12
    • 文件大小:44kb
    • 提供者:weixin_38638163
  1. 元器件应用中的D类MOSFT在发射机射频功放中的应用

  2. O 引言   随着微电子技术的发展,MOS管在电子与通信工程领域的应用越来越广泛。特别是在大功率全固态广播发射机的射频功率放大器中,利用MOS管的开关特性,可使整个射频功率放大器工作在开关状态,从而提高整机效率,改善技术性能,同时使发射机的射频功率放大器处于低电压范围,有利于设备的稳定运行。本文对D类MOS管在广播发射机射频功放电路中的应用进行了探讨。   1 MOSFET的开关特性   MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Fie
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-09
    • 文件大小:276kb
    • 提供者:weixin_38527978
  1. 元器件应用中的场效应管的主要特性参数

  2. 一、直流参数  1.夹断电压UP  在UDS为某一固定值的条件下,使ID等于一个微小电流值(几微安)时,栅极上所加偏压UGS就是夹断电压。它适用于结型场效应管及耗尽型绝缘栅型场效应管。  2.开启电压UT  在UDS为某一固定值的条件下,使S极与D极之间形成导电沟道的UGS就是开启电压。它只适用于增强型绝缘栅型场效应管。  3.饱和电流IDSS  在UDS-O的条件下,漏极与源极之间所加电压大于夹断电压时的沟道电流称为饱和电流,它适用于耗尽型绝缘栅型场效应管。  4.直流输入电阻RGS     
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:27kb
    • 提供者:weixin_38669093
  1. 元器件应用中的结型场效应管的特性

  2. (1)转移特性  栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性,若用曲线表示,该曲线就称为转移特性曲线。它的定义是:漏极电压UDS恒定时,漏极电流ID同栅极电压UGS的关系,即                                    结型场效应管的转移特性曲线如图所示。图中的Up为夹断电压,此时源极与漏极间的电阻趋于无穷大,管子截止。在UP电压之后,若继续增大UGS就可能会出现反向击穿现象而损坏管子。在测量结型场效应管的转移特性曲线时,要求UDS要足够大,一般令UDS=|UP|,
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:148kb
    • 提供者:weixin_38628926
  1. 元器件应用中的CS系列N沟道结型场效应管

  2. CS系列结型场效应管的主要特性参数见表。  CS系列结型场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:126kb
    • 提供者:weixin_38547397
  1. 元器件应用中的3DJ系列N沟道结型场效应管

  2. 3DJ系列场效应管的主要特性参数见表。  3DJ列场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-23
    • 文件大小:250kb
    • 提供者:weixin_38737176
  1. 元器件应用中的P沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些P沟道结型场效应管的主要特性参数。  一些P沟道结型开关场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:62kb
    • 提供者:weixin_38747025
  1. 元器件应用中的N沟道结型开关场效应管

  2. 表列出了一些N沟道结型开关场效应管的主要特性参数。  一些N沟道结型开关场效应管主要特性参数   
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:79kb
    • 提供者:weixin_38674223
  1. 元器件应用中的小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装)

  2. 与双极型半导体三极管相比,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大以及交叉调制失真小等特点。片状场效应管也同样具有上述特点。片状场效应管又分为片状结场效应管和片状绝缘栅场效应管两类。片状绝缘栅场效应管最大的特点是具有优良的开关特性。其导通电阻仅为几十毫欧姆,因此它的应用较为广泛。    表给出了小信号用片状绝缘栅场效应管的主要特性参数。                                                  表:小信号用片状绝缘栅场效应管主要性参数(SOT-23式封装
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-22
    • 文件大小:93kb
    • 提供者:weixin_38535132