与标准CMOS工艺兼容的金属间氧化层光波导，利用CMOS工艺中的一层金属和二层金属间的氧化层作为光波导芯 层，第一层金属作为光波导下包层，二层金属作为光波导上包层。如图1所示，利用有源区与阱间的pn结作为发光 二极管，二氧化硅覆盖在pn结上。发光二极管发出的光直接耦合进入金属间氧化层光波导，实现发光二极管与光 波导的集成，利用有源区与阱间的pn结作为光探测器，二氧化硅覆盖在pn结上。光波导将光直接耦合到光探测器 ，实现光探测器与光波导（110）的集成。 图1 金属间氧化物光波导结构 　　金属