点数信息
www.dssz.net
注册会员
|
设为首页
|
加入收藏夹
您好,欢迎光临本网站!
[请登录]
!
[注册会员]
!
首页
移动开发
云计算
大数据
数据库
游戏开发
人工智能
网络技术
区块链
操作系统
模糊查询
热门搜索:
源码
Android
整站
插件
识别
p2p
游戏
算法
更多...
在线客服QQ:632832888
当前位置:
资源下载
搜索资源 - 元器件应用中的集肤效应
下载资源分类
移动开发
开发技术
课程资源
网络技术
操作系统
安全技术
数据库
行业
服务器应用
存储
信息化
考试认证
云计算
大数据
跨平台
音视频
游戏开发
人工智能
区块链
在结果中搜索
所属系统
Windows
Linux
FreeBSD
Unix
Dos
PalmOS
WinCE
SymbianOS
MacOS
Android
开发平台
Visual C
Visual.Net
Borland C
CBuilder
Dephi
gcc
VBA
LISP
IDL
VHDL
Matlab
MathCAD
Flash
Xcode
Android STU
LabVIEW
开发语言
C/C++
Pascal
ASM
Java
PHP
Basic/ASP
Perl
Python
VBScript
JavaScript
SQL
FoxBase
SHELL
E语言
OC/Swift
文件类型
源码
程序
CHM
PDF
PPT
WORD
Excel
Access
HTML
Text
资源分类
搜索资源列表
元器件应用中的矩形波电流的集肤效应
导线的Rac/Rdc.之比,与d/△密切相关,而△又与频率有关,在大多数开关电源主电路中,电流都是矩形波,其能量都位于谐波中,因此面临的问题是必须计算出给定频率下的渗透深度。对于这个问题,Venkatramen做了严格的分析。这里为了简化分析,对Rac/Rdc.进行了近似估算,以便计算铜损。 假设方波电流中的能量都集中在前三次谐波中,可以计算出常用开关电源开关频率(25kHz、50kHz、100kHz、200kHz)下的二种谐波各自的渗透深度△。 为了简化,取这些开关频率下渗透深度的
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:37kb
提供者:
weixin_38728464
元器件应用中的集肤效应的数量关系
导线的集肤效应渗透深度定义为由于集肤效应使导体内的电流密度下降到导体表面电流密度的1/e或37%处的径向深度。渗透深度与频率的关系式可以通过多种方式获得,渗透深度△的表达式为: 上式中,ω为角频率,ω=2πfs;ρ为电阻率;γ为电导率,ρ=;μo为空气磁导率;fs为电流频率。 △与温度有关,在100℃时,铜的电阻率ρ=2.3×10-6Ω·cm, 式中,△的单位为cm,fs的单位为Hz。 表1给出了由式(6-33)计算得到的70 ℃时不同频率下铜线的渗透深度。
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:115kb
提供者:
weixin_38501363
元器件应用中的集肤效应
集肤效应已经广为人知,早在1915年就已推导出了表层厚度与频率之间的关系式。从图1就可以看出,感应的涡流是如何使电流只流经导体外表面极薄的一部分的。 圆导线沿着直径的切面如图1所示,主电流的流向为oA,如果没有集肤效应,电流将分布均匀地流过导线。但现实是所有沿着OA轴的电流都已被垂直于OA轴的磁力线包围。假定有电流流经OA轴,则根据右手定则,此电流产生的磁通方向如图中箭头所示,从1→2→3再返回到1。 图1 导线集肤效应示意图 用X和Y代表导线内两个水平涡流环路,这两个环路
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:70kb
提供者:
weixin_38629274
元器件应用中的磁性元件中导体的集肤效应和邻近效应[6]
假设磁性元件(如变压器)铜损耗的计算公式为I2·Rdc,式中,Rdc为绕组的直流电阻,它是通过绕组导线长度和绕组单位长度的电阻值(根据选定导线尺寸查表即得)计算出来的。I为电流的有效值。 由于集肤效应和邻近效应的影响,绕组的损耗往往比;I2·Rdc大很多。 绕组中的可变磁场感应产生了涡流,从而导致了集肤效应和邻近效应的产生。集肤效应是由绕组的自感产生的涡流引起的,而邻近效应则是由绕组的互感产生的涡流引起的。 集肤效应使电流只流过导线外部极薄的部分,这一部分的厚度或环形导电面积与
所属分类:
其它
发布日期:2020-11-16
文件大小:41kb
提供者:
weixin_38509504