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  1. 元器件应用中的IR推出沟道型HEXFET功率MOSFET系列

  2. 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转换器及电动工具等工业应用。   新MOSFET的通态电阻 (RDS (on)) 能效比同类产品高出达50%,无需工业应用中通常使用的大型及昂贵封装,有助于节省总系统成本。此外,低RDS (on) 可降低导通损耗,并提升系统效率
  3. 所属分类:其它

    • 发布日期:2020-11-15
    • 文件大小:37kb
    • 提供者:weixin_38745859