Linear推出单片高电压理想二极管"或"控制器 LTC4357，该器件在多重 N+1 冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基"或"二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。LTC4357 控制一个外部 N 沟道 MOSFET 以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。LTC4357 控制 MOSFET 两端的正向压降，确保以无振荡或无反向 DC 电流的方式从一个通路平滑

凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出单片高电压理想二极管“或”控制器LTC4357，该器件在多重N+1冗余电源应用和高可用性系统中为肖特基“或”二极管提供了一个简单的低损耗替代方案。LTC4357控制一个外部N沟道MOSFET以执行低正向电压二极管功能。与肖特基二极管相比，这提供了一个较低损耗的通路，因此在大功率应用中，不仅实现了效率更高的解决方案，而且由于无需散热器，所以节省了宝贵的电路板面积。LTC4357控制MOSFET两端的正向压降，确保以无振荡