1.V-MOS场效应管的结构　　V-MOS场效应管的结构如图所示。它是在N+衬底上的N-外延层上,先后进行P-型区和N+型区两次选择扩散，然后利用硅的各向异性刻蚀技术，刻蚀出V形槽。漏极从芯片的背面引出，源极及栅极在V形槽的两个臂上制成。　　当给源极和漏极间加上电压UDS，若栅极电位为零或负，由于PN结反向偏置，漏极与源极间没有电流流过，ID=O;当栅极接大正电压时，由于电荷感应，在  P-型区感应出电子，由于电子的积累，形成了N型沟道。该沟道连通了N+型区和N-型区，在源极和漏极之间便产生了电

MT系列V-MOS功率场效应管的主要特性参数见表。　　MT系列V-MOS功率场效应管主要特性参数   

VN系列N沟道功率场效应管的主要特性参数见表。　　VN系列N沟道功率场效应管主要特性参数   

IRF系列V-MOS大功率场效应管的主要特性参数见表。　　IRF系列V-MOS大功率场效应管主要特性参数