日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。 　　新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅