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测前馈补偿在0_1um光刻机硅片台长行程电机控制中的应用
测前馈补偿在0_1um光刻机硅片台长行程电机控制中的应用
所属分类:
IT管理
发布日期:2012-05-18
文件大小:641kb
提供者:
feifeikk
22nm光刻技术前景
综述了当前最为先进的22nm光刻技术,并且对总的集成电路设计流程进行了介绍!
所属分类:
硬件开发
发布日期:2012-05-25
文件大小:296kb
提供者:
lujin0808
L-edit 光刻版制备软件
L-edit11.1版,光刻版制图软件,亲测可用
所属分类:
电信
发布日期:2014-10-22
文件大小:28mb
提供者:
missingxu
光刻基本技术
在现代半导体行业中,研发中心对于光刻技术的关注是非常重要的。
所属分类:
制造
发布日期:2015-08-05
文件大小:14mb
提供者:
wudd0517
LG蓝光刻录机LG Electronics BH08LS20固件2.0
LG蓝光刻录机LG Electronics BH08LS20固件2.0。升级后能识别更多蓝光格式,LG蓝光刻录机LG Electronics BH08LS20固件2.0
所属分类:
其它
发布日期:2017-12-22
文件大小:1mb
提供者:
area51
光刻机及行业现状
描述了光刻机及行业现状,浸润式光刻机,各种制程,ASML
所属分类:
嵌入式
发布日期:2018-05-16
文件大小:153kb
提供者:
liyuming021
反向光刻系统
光刻机系统的构建,以部分相干光和分层光刻胶模型为基础,进行掩膜的最优化研究。
所属分类:
硬件开发
发布日期:2018-05-18
文件大小:5kb
提供者:
qq_37939141
大面积表面等离子激元干涉光刻
大面积表面等离子激元干涉光刻,郭小伟,张志友,利用衰减全反射耦合模式激发表面等离子激元,提出一种大面积表面等离子干涉纳米光刻方法。表面等离子激元干涉可引起了电场在一定
所属分类:
其它
发布日期:2020-02-05
文件大小:369kb
提供者:
weixin_38733875
二维零位光栅及其在光刻对准中的应用
二维零位光栅及其在光刻对准中的应用,周成刚,叶锡标,本文介绍了二维零位光栅对准标记的原理,详细讨论了二维零位光栅副的相对间距对对准精度的影响,并给出了不同情况下使用二维零位
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-20
文件大小:975kb
提供者:
weixin_38593380
基于波前分割法的接近式光刻掩膜版局部优化
基于波前分割法的接近式光刻掩膜版局部优化,潘攀,李木军,针对接近式紫外光刻图形转移中的曝光形状失真问题,采用波前分割的方法对掩模图形上的波前进行区域划分,并利用光场相干叠加相互
所属分类:
其它
发布日期:2020-01-18
文件大小:472kb
提供者:
weixin_38687218
半导体世界之光刻胶的分类与效果全解.zip
半导体世界之光刻胶的分类与效果全解,该资料以ppt形式详细介绍了半导体行业中关键一环光刻胶的行业情况,光刻胶的分类与实现的工艺效果。
所属分类:
嵌入式
发布日期:2019-12-29
文件大小:1mb
提供者:
shouqian_com
原子光刻中的原子沉积理论模拟及可视化
原子光刻中的原子沉积理论模拟及可视化,马艳,,通过一个一维的空间模型来模拟实际为二维空间中的原子传播,有效的简化了原子在激光会聚原子沉积过程中的波动方程,并且通过软件
所属分类:
其它
发布日期:2019-12-29
文件大小:1021kb
提供者:
weixin_38601878
光刻与刻蚀工艺.ppt
“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆(或者叫硅片)上盖上事先做好的光刻板,然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质,易于腐蚀。 “刻蚀”是光刻后,用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉(正胶),晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀,形成半导体器件及其电路。
所属分类:
电信
发布日期:2019-08-21
文件大小:10mb
提供者:
ranee_
微电子光刻技术
超大规模集成电路工艺技术中的光刻技术,涵盖了光刻个方面的问题。
所属分类:
教育
发布日期:2013-03-08
文件大小:1mb
提供者:
wangming056336
光刻工艺中的金属剥离技术
光刻工艺中的金属剥离技术.刻蚀工艺:利用化学或者物理方法,将抗蚀剂薄层未屏蔽的晶片表面或介质 层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路 各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。
所属分类:
IT管理
发布日期:2011-06-16
文件大小:84kb
提供者:
cddoullent
光刻技术工艺及应用
单的说用一定波长的波刻蚀材料就是光刻技术,集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-26
文件大小:78kb
提供者:
weixin_38686245
工艺解析:CPU全制程之光刻蚀技术
光刻蚀是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤,为什么这么说呢?光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕,由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格,刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。
所属分类:
其它
发布日期:2020-08-30
文件大小:81kb
提供者:
weixin_38739744
光刻机传输分系统控制.doc
本文档是荷兰光刻机公司ASML的内部硅片传输分系统的控制系统设计文档,对了解光刻机内部知识以及控制系统设计有较大的帮助
所属分类:
嵌入式
发布日期:2020-09-17
文件大小:13mb
提供者:
cjlusun55
光刻机ASML内部培训资料 介绍芯片的制作流程以及光刻机的部分原理
本资料包含荷兰光刻机厂商ASML的内部培训资料 ,包括介绍芯片的制作过程以及原理,光刻机的使用说明以及原理等等
所属分类:
制造
发布日期:2020-09-25
文件大小:488mb
提供者:
cjlusun55
AZ_PR光刻胶的数据资料
AZ系列光刻胶的各类参数,中文资料
所属分类:
制造
发布日期:2016-03-11
文件大小:3mb
提供者:
haididesenlin
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