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  1. 光刻原理Principles of Lithography

  2. Lithographers at semiconductor companies are integrators. We combine optics, precision machines, photochemicals, and photomasks into working processes. While chip makers often get the glory, the lens makers, resist chemists, and tool makers are the

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2015-05-25
    • 文件大小：17mb
    • 提供者：blueicebird

  1. 二维零位光栅及其在光刻对准中的应用

  2. 二维零位光栅及其在光刻对准中的应用，周成刚，叶锡标，本文介绍了二维零位光栅对准标记的原理，详细讨论了二维零位光栅副的相对间距对对准精度的影响，并给出了不同情况下使用二维零位

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-01-20
    • 文件大小：975kb
    • 提供者：weixin_38593380

  1. 光刻与刻蚀工艺.ppt

  2. “光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2019-08-21
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：ranee_

  1. 光刻技术工艺及应用

  2. 单的说用一定波长的波刻蚀材料就是光刻技术,集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：78kb
    • 提供者：weixin_38686245

  1. 光刻机ASML内部培训资料 介绍芯片的制作流程以及光刻机的部分原理

  2. 本资料包含荷兰光刻机厂商ASML的内部培训资料 ，包括介绍芯片的制作过程以及原理，光刻机的使用说明以及原理等等

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-09-25
    • 文件大小：488mb
    • 提供者：cjlusun55

  1. 限散射角电子束光刻技术及其应用前景

  2. （江苏大学电气信息工程学院，江苏 镇江 212013）摘 要：在下一代光刻（NGL）技术中，限散射角电子束光刻（SCALPEL）技术工艺简单、成本较低，因此是集成电路生产厂家首选的光刻方案之一。本文论述了SCALPEL的工作原理、加工工艺和方法、SCALPEL系统等，并对比分析了SCALPEL在NGL研发中的技术优势及其应用要点。 关键词：超大规模集成电路,纳米CMOS器件,电子束光刻,散射,技术优势,应用前景 中图分类号：TN305.7；TN47 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：134kb
    • 提供者：weixin_38650150

  1. 显示/光电技术中的DFM工具有助于实现“光刻友好”布局

  2. 明导国际（Mentor Graphics）认为，其最新的DFM（可制造性设计，design-for-manufacturing）将对集成电路设计人员设计"光刻友好"的集成电路布局提供帮助。该公司的新型Calibre LFD（光刻友好设计，lithography-friendly design）是一种类似于DRC/LVS（设计规则检查/低压信令，design-rule-checking/low-voltage-signaling）的工具。不过，Calibre LFD并不检查布局是否符合设计规则（例

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-08
    • 文件大小：57kb
    • 提供者：weixin_38746442

  1. 基于微反射镜阵列的光刻照明模式变换系统设计

  2. 光源掩膜协同优化是45 nm节点以下浸没式光刻提高分辨率的重要途径之一，为了重构其优化后输出的像素级光源，提出了一种基于可寻址二维微反射镜阵列的新型照明模式变换系统设计方法。分析了减少重构光源所需微反射镜数量的原理，结合成像与非成像光学，利用柱面复眼透镜，获得了入射到微反射镜阵列上的非均匀的特定光强分布，基于此光强分布对微及射镜二维偏转角度进行了模拟及优化，并对该照明模式变换系统进行仿真，结果表明，光瞳重构精度小于2.5%，X，Y 方向光瞳极平衡性小于0.5%，Prolith中重构光源的曝光性能

  3. 所属分类：其它

  1. 用于光刻调焦调平的反射式投影光学系统设计

  2. 调焦调平传感器是光刻机关键分系统之一,用于曝光前对硅片高度形貌进行测量。投影光学系统是调焦调平传感器的核心,其成像质量直接影响传感器测量精度。根据调焦调平传感器的测量原理与像差理论,分析得到投影光学系统放大倍率、畸变、远心度和分辨率对调焦调平系统测量精度的影响规律。为此,优选反射式投影光学系统设计方案,该方案具有结构简单、无色差,畸变小等特点,并利用ZEMAX软件进行设计优化和公差分析,所设计系统工作波长为600~1000 nm,放大率为1.000,视场3 mm×26 mm范围内弥散斑均方根半径

  3. 所属分类：其它

  1. 一种步进扫描投影光刻机承片台不平度检测新技术

  2. 提出一种步进扫描投影光刻机承片台不平度检测新技术。在晶圆与承片台存在不同偏移量时,利用线性差分传感器在线测量晶圆上不同点的局部高度;通过建立临时边界条件,以递推法消除晶圆面形影响,并逐行计算出承片台的相对不平度;通过逐行计算的结果递推相邻行之间的高度差,并将该高度差叠加到每一行,以消除临时边界条件的限制,得到处于同一高度上的承片台不平度;将计算的结果作为初始值,根据最小二乘原理,以邻近的四个测量点作为参考,逐步逼近得到承片台的真实不平度。计算机仿真结果验证了该检测方法的正确性,计算结果逐步收敛并

  3. 所属分类：其它

  1. 一种检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法

  2. 提出一种精确检测光刻机激光干涉仪测量系统非正交性的新方法。将对准标记曝光到硅片表面并进行显影;利用光学对准系统测量曝光到硅片上的对准标记理论曝光位置与实际读取位置的偏差;由推导的位置偏差与非正交因子、坐标轴尺度比例、过程引入误差的线性模型,根据最小二乘原理计算出干涉仪测量系统的非正交性。实验结果表明,利用该方法使用同一硅片在不同旋转角下进行测量,干涉仪测量系统非正交因子的测量重复精度优于0.01 μrad,坐标轴尺度比例的测量重复精度优于0.7×10-6。使用不同的硅片进行测量,非正交因子的测量

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：923kb
    • 提供者：weixin_38730977

  1. 一种新的光刻机像质参数热漂移检测技术

  2. 提出了一种新的光刻机像质参数热漂移原位检测技术(TDFM)。详细分析了该技术利用镜像测试标记检测投影物镜最佳焦面热漂移与放大倍率热漂移的基本原理。实验结果表明TDFM技术可同时实现最佳焦面热漂移(FFT)与放大倍率热漂移(MFT)的精确测量。与现有的放大倍率热漂移检测技术相比,该技术有效地解决了放大倍率热漂移技术中放大倍率热漂移受最佳焦面热漂移影响的问题,简化了光刻机像质参数前馈校正的测试过程,测试成本与耗时均减少50%。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-13
    • 文件大小：950kb
    • 提供者：weixin_38499349

  1. i线投影光刻曝光系统的光学设计

  2. 叙述具有同轴对准特性的光学投影物镜双远心结构和均匀照明光学系统原理。为了满足ｉ线光刻所需的光学传递函数要求，讨论了光刻分辨率和数值孔径的关系。设计了一种新的双远心投影物镜，其数值孔径NA=0.42，放大倍率M=-1/5，像场尺寸15 mm×15 mm(直径21.2 mm)，共轭距L=602 mm。用光学设计程序ZEMAX-XE计算此ｉ线物镜的像质。设计结果说明，整个视场内波差0.55，当空间频率为715 pair lines/mm，使用波长为365士3 nm时。可以实现0.7 μm光刻分辨率；照

  3. 所属分类：其它

  1. 光刻机投影物镜的像差原位检测新技术

  2. 提出了一种新的光刻机投影物镜像差原位检测(AMF)技术。详细分析了该技术利用特殊测试标记检测投影物镜球差、像散、彗差的基本原理,论述了该技术利用对准位置坐标计算像差引起的成像位置偏移量的方法。实验结果表明AMF技术可实现球差、彗差、像散等像差参量的精确测量。AMF技术考虑了光刻胶等工艺因素对像差引起的成像位置偏移量的影响,有效避免了目前基于硅片曝光方式的彗差原位检测技术对离焦量、像面倾斜等像质参量限制的依赖。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-11
    • 文件大小：861kb
    • 提供者：weixin_38703787

  1. 利用导波耦合角度实时控制光刻胶光栅掩模的占宽比

  2. 研究一种控制多层介质膜上的光刻胶光栅掩模占宽比(线宽与周期之比)的新方法。该方法基于下面的原理：如果某泄漏模在包层中的隐失尾较强,那么它的等效折射率受光刻胶光栅占宽比变化的影响就大,从而可以利用耦合角度来实时控制光栅占宽比。在光栅制作的显影阶段,采用实时监测技术,根据耦合角度和占宽比之间的关系预设入射光角度,在出现共振反常的时刻停止显影来控制占宽比。实验结果表明,固定适当的入射角度可以得到特定的占宽比;改变入射角度,占宽比按照预计的规律变化,因此定性地验证了这种占宽比控制方法的可行性。文中给出了

  3. 所属分类：其它

  1. 基于叠栅条纹的光刻对准理论分析及标定方法

  2. 在线光栅用于纳米光刻对准理论的基础上，为实现光栅方向的标定和掩模硅片对准，提出一种利用相位斜率消除角位移的新方法，并给出线光栅标记及其对准原理。在对准前，掩模对准标记和硅片对准标记存在角位移，重点讨论了此种情况下叠栅条纹的特性以及与光栅物理参数的关系，并给出了相应的计算公式。基于傅里叶频域分析法，对叠栅条纹频率成分与条纹的关系做了简要分析。利用提取叠栅条纹行列方向的一维相位，通过数据拟合，得出了相位斜率与角位移的内在关系，实现了条纹方向的标定。模拟实验结果表明，该方法简单可靠，可分辨的最小角位移

  3. 所属分类：其它

  1. 一种适用于数字微镜无掩模光刻的图形拼接方法

  2. 针对数字投影光刻技术大面积图形曝光的需求，提出了一种基于灰度模板调制的图形拼接方法，包括图形分割、模板设计、子图形灰度调制、子图形曝光4个步骤。图形曝光前，需要将曝光图形分割为多帧大小为1024 pixel×768 pixel的多个子图形，然后每个子图形与对应模板相乘，实现曝光子图形的预处理。基于数字微镜(DMD)对灰度图形的调制原理，设计了可行的边界灰度调制模板。给出了图形分割的基本方法以及模板设计的原则。计算机仿真实验展示了图形拼接的过程。实验结果表明，该方法能较好地解决大面积图形曝光存在的

  3. 所属分类：其它

  1. 基于SU-8光刻胶光纤法布里珀罗加速度传感器

  2. 基于SU-8光刻胶的高深宽比加工技术，设计了对加速度敏感的悬臂梁-质量块结构。理论推导了加速度与SU-8光刻胶悬臂梁-质量块结构的挠度、法布里-珀罗（F-P）腔的干涉光强之间的关系，得到了简化的计算公式，并讨论了传感器灵敏度和固有频率等主要影响因素。提出了一种新的“卍”形悬臂梁-质量块结构，分析和确定了传感器结构的各项参数。研究结果表明，“卍”形SU-8光刻胶结构能够得到较高的灵敏度，具有良好的检测模态，仿真结果与理论分析吻合，可以基于法布里珀罗干涉原理实现对加速度的传感。

  3. 所属分类：其它

  1. 光刻投影物镜V形柔性轴向调节机构设计

  2. 为了满足光刻投影物镜对轴向调节机构的调节行程大、精度高、结构紧凑等需求，基于三角形换向原理，设计了轴向调节机构。在调节机构中采用V形柔性单元换向机构，实现运动的换向和传递。针对机构的调节行程、驱动力、一阶固有频率以及机构传动比的要求，优化了V形柔性单元的结构尺寸参数。使用有限元方法分析了V形柔性单元的关键尺寸参数对机构性能的影响，得到机构调节行程可达±55 μm，调节精度优于±10 nm，一阶固有频率大于150 Hz。同时仿真分析了该轴向调节机构对光学元件的热变形的影响，在20 mW热载荷的作用

  3. 所属分类：其它

  1. 光刻物镜热像差主动补偿系统设计与实验

  2. 光刻物镜硅片刻蚀过程中的Z5像散会使光刻物镜波像差产生严重的劣化。为了对像散进行实时补偿, 提出一种Z5像散主动补偿系统。该系统由实时数据平台、驱动力系统、柔性支撑结构和光学透镜构成。采用球面干涉仪作为光学透镜表面面形的检测设备, 利用最小二乘法及线性叠加原理确定驱动参数与面形关系。实验进行了主动补偿系统的驱动器响应函数测试、补偿行程测试、补偿精度测试、补偿分辨率测试。结果表明, 系统Z5像散补偿行程达到735 nm, Z5像散补偿精度小于2 nm, 引入的高阶像差小于1 nm, 像散补偿分辨率

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-02-07
    • 文件大小：11mb
    • 提供者：weixin_38662122
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